[发明专利]一种高纯氯化氢的合成方法无效
申请号: | 201110423416.0 | 申请日: | 2011-12-16 |
公开(公告)号: | CN102515102A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 李中元 | 申请(专利权)人: | 天津市泰亨气体有限公司 |
主分类号: | C01B7/01 | 分类号: | C01B7/01 |
代理公司: | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人: | 朱红星 |
地址: | 300385 天津市西*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高纯 氯化氢 合成 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种化工产品,特别是一种高纯氯化氢的合成技术,适合于大规模的生产高纯氯化氢。
背景技术
氯化氢是氯元素的重要存在形态,也是非常重要的化工产品和原料。主要用于生产PVC、聚氨酯、环氧树脂、有机硅、合成橡胶、氟氯烃、TiO2涂料及一些农用化学品、建筑材料和一些医药制剂等。
化工生产大量消耗氯气的同时,通常产生等摩尔的氯化氢气体,因此氯化氢是工业上一种常见的副产物。而HCl是一种价格便宜、很难处理的化学品,过去常采用水吸收法制成盐酸出售或用碱液中和后排放。将HCl直接转化成Cl2加以利用,实现氯元素在工业体系中的循环利用和反应过程的零排放,带来巨大的经济效益,符合当代资源循环型社会发展的总体要求。原有技术是不能得到高纯氯化氢,采用传统的氢、氯合成工艺,以高纯氢、高纯氯为原料,所得合成气中杂质较少,易于清除。
发明内容
本发明提供了一种设备及工艺。该技术不仅工艺合理,并解决了生产高纯氯化氢的问题。采用本法会大大提高生产效率。
本发明采用的技术方案是:
一种高纯氯化氢的合成方法,以高纯氢、高纯氯为原料,一体化连续生产投料合成高纯氯化氢,其特征在于:
(1)经钯膜扩散仪净化的高纯氢和高纯氯分别进入合成炉,氢与氯的重量体积比为1:3;在1000-1500℃合成炉中燃烧,生成HCl;在水冷却器中冷却到常温;其中进炉原料中氢要比化学计量过量5%-10%;
(2)净化在常温常压下进行,由两部分组成,吸附净化和分凝净化;吸附采用国产天然丝光沸石在常温、常压下进行,主要是除去残留氯、水及其他微量杂质;分凝净化是在-85--100℃的温度条件下冷却、冷凝;在玻璃系统中装有露点仪,随时测定了氯化氢中的微量水,经净化后的HCl以液体装瓶。
本发明具体公开了一种高纯氯化氢的合成方法,以高纯氢、高纯氧为原料,直接合成高纯氯化氢的新工艺。
(1)原料气体
合成用氢是电解水制得的工业氢气经钯膜扩散仪净化得到,氢纯度可达6N。氯是采用高纯氯,其纯度为4.8N。
(2)工艺要点
经钯膜扩散仪净化的氢和高纯氯分别进入合成炉。在合成炉中燃烧,生成HCl。火焰温度在1000℃以上,在水冷却器中冷却到常温。为了使合成气中氯的含量尽量低,进炉原料中氢要比化学计量过量5%-10%。由于采用的原料气的纯度高,杂质含量低,合成气中除HCl外,主要杂质是未反应的过量氢;虽然氯与氢比较容易反应,但产物中仍有微量未反应的残留氯,还有由原料气带入的微量杂质及其他反应产物。
已冷却的合成气进入净化工序。净化在常温常压下进行,由两部分组成,吸附净化和分凝净化。吸附采用国产天然丝光沸石等在常温、常压下进行。主要是除去残留氯、水及其他微量杂质;分凝净化是在-85- -100℃的温度条件下冷却、冷凝。在冷凝器顶部不断排出残留过量氢及一些不凝气体。
经净化后的HCl以液体装瓶。在玻璃系统中装有露点仪,比较简单地测定了氯化氢中的微量水。
本发明具体的生产方法:
钯膜扩散仪的出口通过管路连接合成炉的入口一;氯气净化器的出口二通过管路连接合成炉的入口二,合成炉的出口通过管路连接水冷却器的入口,水冷却器的出口、氯气净化器的出口一通过管路连接尾气处理塔的入口;水冷却器的出口通过管路连接HCI气体净化器的入口,HCI气体净化器的出口一通过管路顺序连接玻璃三通、真空泵;HCI气体净化器的出口二通过管路连接钢瓶的入口,钢瓶的出口通过管路连接尾气处理塔的入口; HCI气体净化器的出口三通过管路连接尾气处理塔的入口。采用氢、氯合成工艺,以高纯氢、高纯氯为原料,所得合成气中杂质较少,易于清除,大大提高生产效率。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津市泰亨气体有限公司,未经天津市泰亨气体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110423416.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:混凝土泵送润管剂及其制备和应用方法
- 下一篇:电子元件固定结构