[发明专利]非易失性存储设备

权利要求书

1.一种非易失性存储设备，所述设备包括：

多个非易失性存储单元，其被分成多个单元组；

比较单元，用于将从多个非易失性存储单元中读取的多个验证数据与多个非易失性存储单元中将要被编程的多个编程数据相比较，并且输出用于表明其验证数据和编程数据彼此不同的多个失败非易失性存储单元的比较信号；

状态标志信号生成单元，用于生成表明其中将要编程特定逻辑状态的编程数据的多个非易失性存储单元的状态标志信号；

编程验证指定单元，用于接收比较信号和状态标志信号，并且生成指定信号以指定用于失败非易失性存储单元中的编程数据的多个分区编程操作；

编程脉冲生成单元，用于接收指定信号，并且在分区编程操作期间提供置位脉冲控制信号和复位脉冲控制信号；和

编程驱动器，用于接收编程数据、置位脉冲控制信号、和复位脉冲控制信号，并且生成置位脉冲或复位脉冲。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述编程数据包括具有第一逻辑状态的数据和具有第二逻辑状态的数据；并且

其中所述状态标志信号表明将要用具有第一逻辑状态的数据编程的存储单元、和将要用具有第二逻辑状态的数据编程的存储单元。

3.如权利要求2所述的设备，其中所述第一逻辑状态对应于逻辑“1”，而所述第二逻辑状态对应于逻辑“0”。

4.如权利要求2所述的设备，其中编程控制信号控制所述状态标志信号生成单元是生成用于表明将要用具有第一逻辑状态的数据编程的多个非易失性存储单元的状态标志信号，还是生成用于表明将要用具有第二逻辑状态的数据编程的多个非易失性存储单元的状态标志信号。

5.如权利要求1所述的设备，其中所述编程验证指定单元包括：

指定逻辑单元，用于接收比较信号和状态标志信号，并且生成用于指定多个失败单元组的编程顺序的指定信号，通过使用所述编程顺序来进一步指定将在所述失败单元组上执行的多个分区编程操作，其中所述多个失败单元组包括将被编程为特定逻辑状态的失败非易失性存储单元。

6.如权利要求1所述的设备，进一步包括：

模式选择单元，用于接收模式控制信号，并且生成用于选择分区编程模式的多个模式选择信号；

其中所述编程验证指定单元包括：

多个通门，对应于所述多个模式选择信号，所述多个通门的每个接收对应的一个模式选择信号，并且选择性地传送比较信号；和

指定逻辑单元，用于接收比较信号和状态标志信号，并且生成用于指定多个失败单元组的编程顺序的指定信号，通过使用所述编程顺序来进一步指定将在所述失败单元组上执行的多个分区编程操作，其中所述多个失败单元组包括将被编程为特定逻辑状态的失败非易失性存储单元。

7.如权利要求1所述的设备，其中所述多个非易失性存储单元是相变存储单元。