[发明专利]一种湿法刻蚀工艺

权利要求书

1.一种晶体硅片的湿法刻蚀工艺，主要含有背面抛光工序，其特征是：在刻蚀去边结之后，增加采用抛光液对晶体硅背面进行抛光工序，抛光时抛光液的温度为5~30℃，抛光时间为10s~10min，抛光液含有以下质量百分含量的组分：HF 0.5%~10%、HNO₃5%~55%、H₂SO₄5%~55%、醋酸5%~30%。

2.根据权利要求1所述的晶体硅片的湿法刻蚀工艺，其特征是：所述抛光液中还含有添加剂，所述的添加剂包括氟化铵、亚硝酸钾、柠檬酸钾、月桂醇醚磷酸酯钾和十二醇硫酸酯钾中的一种或几种，其含量占抛光液总质量的 0~20%。

3.根据权利要求1所述的晶体硅片的湿法刻蚀工艺，其特征是：所述刻蚀去边结包括干法去边结和湿法去边结。

4.根据权利要求3所述的晶体硅片的湿法刻蚀工艺，其特征是：采用干法去边结时，所述背面抛光工序作为单独的工序增加在干法刻蚀去边结之后。

5.根据权利要求3所述的晶体硅片的湿法刻蚀工艺，其特征是：采用湿法去边结时，所述背面抛光工序整合在链式湿法刻蚀去边结工序中。

6.根据权利要求1-5任一项所述的晶体硅片的湿法刻蚀工艺，其特征是：在湿法刻蚀工艺中还含有去除磷硅玻璃和干燥工序。

7.根据权利要求6所述的晶体硅片的湿法刻蚀工艺，其特征是：去除磷硅玻璃时采用HF溶液，其质量百分含量为1~20%。

8.根据权利要求6所述的晶体硅片的湿法刻蚀工艺，其特征是：干燥工序采用包括风干或甩干的干燥方式。