[发明专利]一种N-I-P型PIN器件及其制造方法

权利要求书

1.一种N-I-P型PIN器件，其特征是，包括：P型衬底上形成有集电区，集电区上方形成有发射区，集电区中形成有被集电区和发射区隔离的四个浅沟槽隔离区；位于两侧的两个浅沟槽隔离区底部形成有P型膺埋层，位于中间的两个浅沟槽隔离区集电区之间形成有N型膺埋层，N型膺埋层与发射区相连；多晶硅层形成于浅沟槽隔离区的上方，位于发射区的两侧；P型膺埋层和N型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线，发射区通过接触孔引出连接金属连线，接触孔和深接触孔中具有钛或锡以及金属钨。

2.如权利要求1所述的PIN器件，其特征是：P型膺埋层具有硼离子或铟离子。

3.如权利要求1所述的PIN器件，其特征是：集电区具有磷离子或砷离子。

4.如权利要求1所述的PIN器件，其特征是：发射区具有磷离子或砷离子。

5.如权利要求1所述的PIN器件，其特征是：N型膺埋层具有磷离子或砷离子。

6.一种N-I-P型PIN器件的制造方法，其特征是，包括：

(1)在P型衬底上刻蚀四个被有源区隔离开的浅沟槽隔离区，在浅沟槽隔离区内制造隔离侧墙，将中间两个的浅沟槽隔离区遮蔽，在两侧的浅沟槽隔离区底部进行P型离子注入，形成P型膺埋层；

(2)将各浅沟槽隔离区内的隔离侧墙去除，将两侧的两个浅沟槽隔离区遮蔽，向中间两个浅沟槽隔离区的底部与侧面进行带角度的N型离子注入，形成N型膺埋层；

(3)去除制作浅沟槽隔离区时遗留的氮化硅，注入N型离子形成集电区，进行热退火；

(4)淀积多晶硅层；

(5)定义发射区窗口，注入N型离子形成发射区；

(6)刻蚀多晶硅层后将P型膺埋层和N型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线，发射区通过接触孔引出连接金属连线，在接触孔和深接触孔中具有钛或锡以及金属钨。

7.如权利要求6所述PIN器件的制造方法，其特征是：实施步骤(1)时，注入硼或铟离子，剂量为1e14cm^-2至1e16cm^-2，能量小于15keV。

8.如权利要求6所述PIN器件的制造方法，其特征是：实施步骤(2)时，浅沟槽隔离区侧面N型膺埋层的N型离子浓度大于1e19cm^-2。

9.如权利要求8所述PIN器件的制造方法，其特征是：实施步骤(2)时，注入N型离子为磷或砷，剂量为1e14cm^-2至1e16cm^-2，能量小于15keV。

10.如权利要求6所述PIN器件的制造方法，其特征是：实施步骤(3)时，注入磷或砷离子，剂量为1e12cm^-2至5e13cm^-2，能量为100keV至2000keV。

11.如权利要求6所述PIN器件的制造方法，其特征是：实施步骤(5)时，注入磷或砷离子，剂量为1e14cm^-2至1e16cm^-2，能量为2keV至100keV。