[发明专利]浅沟槽隔离和穿透基板通孔于集成电路设计之内的整合

权利要求书

1.一种制造集成电路的方法，包括：

提供具有第一面和相反的第二面的基板；

在所述基板的所述第一面内形成浅沟槽隔离开口；

在所述基板的所述第一面内形成局部穿透基板通孔开口；

使所述局部穿透基板通孔开口延伸，其中延伸的局部穿透基板通孔开口比所述浅沟槽隔离开口更深入所述基板之内；

以第一固体材料填充所述浅沟槽隔离开口；以及

以第二固体材料填充所述延伸的局部穿透基板通孔开口，其中：

所述浅沟槽隔离开口、所述局部穿透基板通孔开口和所述延伸的局部穿透基板通孔开口都没有穿透所述基板的所述第二面的外表面，并且

执行以下处理中的至少任一个：所述浅沟槽隔离开口和所述局部穿透基板通孔开口同时形成；所述浅沟槽隔离开口和所述延伸的局部穿透基板通孔开口被同时填充。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述基板的所述第一面上形成至少一个有源或无源电子元件，其中所述有源或无源电子元件通过位于所述有源或无源电子元件与相邻的有源或无源电子元件之间的所述浅沟槽隔离开口与在所述基板的所述第一面上的所述相邻的有源或无源电子元件电隔离。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述基板的所述第一面上形成至少一个有源或无源电子元件，其中所述有源或无源电子元件通过位于所述有源或无源电子元件与相邻的延伸的局部穿透基板通孔开口之间的所述浅沟槽隔离开口与所述相邻的延伸的局部穿透基板通孔开口电隔离。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：从所述基板的所述第二面去除所述延伸的局部穿透基板通孔开口内部的至少一部分的所述第二固体材料，使得第二面的穿透基板通孔开口从所述第二面延伸至所述基板的所述第一面。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：以导电性材料填充所述第二面的穿透基板通孔开口。

6.一种集成电路，包括：

具有第一面和相反的第二面的基板；

浅沟槽隔离结构，其中所述浅沟槽隔离结构的一端被掩埋于所述基板之内并且所述浅沟槽隔离结构的相反端位于所述基板的所述第一面的表面处；以及

穿透基板通孔，其中所述穿透基板通孔的一端位于所述基板的所述第一面的所述表面处并且所述穿透基板通孔的相反端位于所述基板的所述第二面的表面处，并且

其中，相同的绝缘层位于界定所述浅沟槽隔离结构的开口之内以及于界定所述穿透基板通孔的开口之内。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述浅沟槽隔离结构位于所述穿透基板通孔与位于所述基板的所述第一面之上的无源或有源电元件之间。

8.根据权利要求6所述的集成电路，还包括：位于所述基板的所述第一面之上并覆盖在所述第一面上的所述穿透基板通孔开口的导电层。

9.根据权利要求6所述的集成电路，还包括：在所述基板的所述第一面上的金属线和层间电介质层，其中所述金属线中的至少一个将位于所述基板的所述第一面之上的无源或有源电元件电连接至覆盖所述穿透基板通孔的导电层。

10.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述基板通过所述穿透基板通孔与一个或更多个其他基板互连。