[发明专利]一种具有弹性接触的芯片与电极互连结构的制备方法

权利要求书

1.一种具有弹性接触的芯片与电极互连结构的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

首先在硅基底上溅射金属铬层并旋涂光刻胶，并图形化光刻胶和铬层形成小圆柱，使光刻胶形成半球状；

然后沉积聚合物薄膜作为底层绝缘层，溅射金属并图形化金属作为电极材料，沉积聚合物薄膜作为上层绝缘层，并图形化露出半球状金属层，以光刻胶为掩膜，依次图形化半球状金属层，底层聚合物绝缘层，使其在半球顶部中心位置形成小通孔，并去除底部半球状光刻胶，形成弹性触点；

之后旋涂光刻胶并图形化，形成放置芯片凹坑，压入芯片，使其与半球状金属触点形成良好的弹性接触，沉积聚合物薄膜固定芯片，释放芯片电极；

最后在半球形背部填入填充物并沉积聚合物薄膜密封，从而实现具有弹性接触的芯片电极的互连。

2.根据权利要求1所述的具有弹性接触的芯片与电极互连结构的制备方法，其特征是，所述的使光刻胶形成半球状是指：通过热板加热利用光刻胶热熔技术使光刻胶形成半球状。

3.根据权利要求2所述的具有弹性接触的芯片与电极互连结构的制备方法，其特征是，将涂有光刻胶的硅基底置于175℃～180℃热板上熔化20～30分钟，使硅基底的表面形成半球形结构的光刻胶凸点。

4.根据权利要求1所述的具有弹性接触的芯片与电极互连结构的制备方法，其特征是，所述的去除底部半球状光刻胶，是指：用丙酮去除底部半球状光刻胶。

5.根据权利要求1所述的具有弹性接触的芯片与电极互连结构的制备方法，其特征是，所述的形成小圆柱所溅射金属铬层厚度为旋涂光刻胶厚度为10～30μm。

6.根据权利要求1所述的具有弹性接触的芯片与电极互连结构的制备方法，其特征是，所述的沉积聚合物薄膜为化学气相沉积厚度为5～20μm的聚对二甲苯层。

7.根据权利要求1所述的具有弹性接触的芯片与电极互连结构的制备方法，其特征是，所述的形成芯片放置凹坑的旋涂光刻胶厚度为200～800μm。

8.根据权利要求1-7任一项所述的具有弹性接触的芯片与电极互连结构的制备方法，其特征是，所述的溅射金属材料为金、铂或钛。

9.根据权利要求1-7任一项所述的具有弹性接触的芯片电极互连结构的制备方法，其特征是，所述的释放电极是指在酒精中浸泡释放电极。