[发明专利]比较器、利用该比较器的开关调节器的控制电路、开关调节器、电子设备有效
申请号: | 201110421403.X | 申请日: | 2011-12-13 |
公开(公告)号: | CN102541142A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 大山学 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/618 | 分类号: | G05F1/618;H03K5/24;H02M7/217 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 章蕾 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 比较 利用 开关 调节器 控制电路 电子设备 | ||
1.一种比较器,其将输入电压与基准电压进行比较,其特征在于包含:
差分放大电路,其包含控制端子被施加所述基准电压的第一输入晶体管、及控制端子被施加所述输入电压的第二输入晶体管;
输出段,其接收所述差分放大电路的输出信号,并将对应于该输出信号的信号作为表示比较结果的输出信号加以输出;及
反馈电路,其接收所述输出段的输出信号,如果该输出信号从表示否定的电平转变为表示断言的电平,那么以所述输出信号恢复为表示所述否定的电平的方式向所述差分放大电路或所述输出段反馈。
2.根据权利要求1所述的比较器,其特征在于:
所述反馈电路包含:
反馈晶体管,其与所述第一输入晶体管并联设置;及
反馈控制电路,其根据所述输出段的输出信号,控制所述反馈晶体管。
3.根据权利要求2所述的比较器,其特征在于:
所述第一、第二输入晶体管及所述反馈晶体管是P通道MOSFET;
所述反馈控制电路包含将所述输出段的输出信号反转后输出至所述反馈晶体管的栅极的反相器。
4.根据权利要求1所述的比较器,其特征在于:
所述反馈电路包含:
反馈晶体管,其设置在所述输出段的输入端子与固定电压端子之间;及
反馈控制电路,其根据所述输出段的输出信号,控制所述反馈晶体管。
5.根据权利要求4所述的比较器,其特征在于:
所述反馈晶体管是设置在所述输出段的输入端子与电源端子之间的P通道MOSFET;
所述反馈控制电路包含将所述输出段的输出信号反转后输出至所述反馈晶体管的栅极的反相器。
6.根据权利要求4所述的比较器,其特征在于:
所述反馈晶体管是设置在所述输出段的输入端子与接地端子之间的N通道MOSFET;
所述反馈控制电路将所述输出段的输出信号输出至所述反馈晶体管的栅极。
7.一种控制电路,其是包含开关晶体管及同步整流用晶体管的降压型开关调节器的控制电路,其特征在于包含:
脉宽调制器,其生成指示所述开关晶体管及所述同步整流用晶体管的导通、断开的脉宽调制信号,且以和所述开关调节器的输出电压对应的反馈电压与基准电压一致的方式调节所述脉宽调制信号的占空比;
脉冲频率调制器,其生成指示所述开关晶体管及所述同步整流用晶体管的导通、断开的脉冲频率调制信号,且以和所述开关调节器的输出电压对应的反馈电压与基准电压一致的方式调节所述脉冲频率调制信号的占空比;及
模式控制部,其在根据所述脉宽调制信号驱动所述开关晶体管及所述同步整流用晶体管的第一模式、与根据所述脉冲频率调制信号驱动所述开关晶体管及所述同步整流用晶体管的第二模式之间切换;
所述模式控制部包含:
权利要求1至6中任一权利要求所述的比较器,其第一输入端子接收对应于所述输出电压的反馈电压,第二输入端子接收规定的基准电压;及
判定部,其在所述开关晶体管的栅极信号表示所述开关晶体管的断开的期间,如果所述比较器的输出信号转变为表示所述反馈电压低于所述基准电压的电平,那么从所述第二模式切换为所述第一模式。
8.一种开关调节器,其特征在于:包含权利要求7所述的控制电路。
9.一种电子设备,其特征在于:包含权利要求8所述的开关调节器。
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