[发明专利]高频功率放大器设备

权利要求书

1.一种高频功率放大器设备，包括：

第一功率放大器电路，所述第一功率放大器电路对第一输入信号进行放大；

第二功率放大器电路，所述第二功率放大器电路对所述第一输入信号进行放大；

第一传输线，所述第一传输线在一端与所述第一功率放大器电路的输出节点相耦合；

第一电容，所述第一电容与所述第一传输线的另一端相耦合；

第二传输线，所述第二传输线在一端与所述第一功率放大器电路的输出节点相耦合并且在另一端与所述第二功率放大器电路的输出节点相耦合；

第二电容和晶体管开关，所述第二电容和晶体管开关被串联布置在所述第二功率放大器电路的输出节点与接地电源电压之间；以及

控制电路，所述控制电路根据模式设置信号激活所述第一功率放大器电路或所述第二功率放大器电路、当所述第一功率放大器电路被激活时驱动所述晶体管开关使其断开并且当所述第二功率放大器电路被激活时驱动所述晶体管开关使其导通，

其中所述第一和第二传输线包括靠近所述第一和第二传输线以引起磁耦合的磁耦合区域，并且

其中，在所述磁耦合区域中，布置所述第一和第二传输线使得源自所述第一功率放大器电路的输出节点侧的所述第一传输线在与源自所述第二功率放大器电路的输出节点侧的所述第二传输线相同的方向上延伸。

2.根据权利要求1所述的高频功率放大器设备，

其中所述第一功率放大器电路包括对所述第一输入信号进行放大的第一晶体管，并且

其中所述第二功率放大器电路包括第二晶体管，所述第二晶体管对所述第一输入信号进行放大并且尺寸比所述第一晶体管小。

3.根据权利要求2所述的高频功率放大器设备，

其中所述第一和第二晶体管是双极晶体管，并且

其中所述晶体管开关是MIS晶体管。

4.根据权利要求3所述的高频功率放大器设备，

其中在第一半导体芯片上形成所述第一和第二功率放大器电路和所述第二电容，并且

其中在第二半导体芯片上形成所述晶体管开关和所述控制电路。

5.根据权利要求2所述的高频功率放大器设备，

其中所述第一晶体管或所述第二晶体管包括并联耦合的第三晶体管和第四晶体管，并且

其中所述控制电路进一步根据所述模式设置信号对所述第三和第四晶体管的激活和去激活进行独立控制。

6.一种高频功率放大器设备，包括：

第一传输线，所述第一传输线被布置在第一节点与第二节点之间；

第二传输线，所述第二传输线被布置在第三节点与第四节点之间；

第一功率放大器电路，所述第一功率放大器电路对第一输入信号进行放大并且将放大的信号输出到所述第一节点；

第二功率放大器电路，所述第二功率放大器电路对所述第一输入信号进行放大并且将放大的信号输出到所述第三节点；

晶体管开关，所述晶体管开关在被控制为导通时将阻抗匹配元件与所述第三节点相耦合，并且在被控制为断开时释放所述第三节点；以及

控制电路，所述控制电路根据模式设置信号激活所述第一功率放大器电路或所述第二功率放大器电路、当所述第一功率放大器电路被激活时驱动所述晶体管开关使其断开并且当所述第二功率放大器电路被激活时驱动所述晶体管开关使其导通，

其中按照下述方式来布置所述第一和第二传输线，所述方式即，当所述第一功率放大器电路被激活时磁耦合发生以减弱每个传输线的磁力并且当所述第二功率放大器电路被激活时磁耦合发生以加强每个传输线的磁力。

7.根据权利要求6所述的高频功率放大器设备，

其中所述第一功率放大器电路包括对所述第一输入信号进行放大的第一晶体管，并且

其中所述第二功率放大器电路包括第二晶体管，所述第二晶体管对所述第一输入信号进行放大并且尺寸比所述第一晶体管小。

8.根据权利要求7所述的高频功率放大器设备，

其中所述阻抗匹配元件是电容元件，并且

其中所述电容元件和所述晶体管开关串联耦合在所述第三节点与接地电源电压之间。

9.根据权利要求8所述的高频功率放大器设备，

其中在第一半导体芯片上形成所述第一和第二功率放大器电路和所述阻抗匹配元件，并且

其中在第二半导体芯片上形成所述晶体管开关和所述控制电路。