[发明专利]制造IC屏蔽镀膜的设备及IC的金属屏蔽膜层

说明书

技术领域

本发明关于一种制造IC屏蔽镀膜的设备及IC的金属屏蔽膜层，特别是关于一种可利用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)制程的方式，使IC的一表面具有电磁屏蔽效果的制造IC屏蔽镀膜的设备及IC的金属屏蔽膜层。

背景技术

随着科技的进步，电子产品愈来愈小型化，但其功能却是愈来愈强大。因此电子产品内部的集成电路(Integrated Circuit，IC)复杂度及密度日渐升高，其内部的传输导线及电源等部份，或电路板上其它具有较高的工作频率的电子组件都会对外发出电磁波，如此使很容易与其它组件产生电磁干扰(Electromagnetic Interference，EMI)的情况，使得电路无法正常运作。因此，如何克服电磁干扰对电路的影响已经成为一个重要的议题。

一般来说，传统的电路板中常看到以金属外壳包覆住电路板的一部分，藉以保护电路板不受电磁干扰的影响。如图1所示，金属外壳11包覆住电路板1的IC芯片12，以解决电磁干扰的问题，但由于金属外壳11需要独立的制作程序，且需要额外的人工将其组成于电路板1上，成本十分高昂。另外，金属外壳1常以焊接或其它方式固定于电路板1上，如此则增大了电路板1的尺寸，如IC芯片12需要维修或替换时，需要拆装金属外壳11，十分不便且容易造成电路板1损坏。而散热方面也是一个很大的问题。

请参阅图2，其为另外一种常见的IC屏蔽层，此方式是在一有若干个IC芯片22的电路板2上形成一屏蔽层21。此方式需要于电路板2的制造过程中加入制作屏蔽层21的程序，已破坏了原本的制作程序，使用上十分不便。且此方式只能一次在若干个IC芯片上形成屏蔽层，再切割成单颗IC芯片使用，无法直接在单颗IC芯片上形成屏蔽层，弹性上也有其限制。因此，如何改善现有技术中，IC金属外壳的笨重、成本高昂、散热不佳等问题及现有技术中，于若干IC芯片上形成屏蔽层的使用不便及弹性不佳等问题即为本发明所要解决的问题。

发明内容

有鉴于上述现有技术的问题，本发明的目的就是在于提供一种制造IC屏蔽镀膜的设备及IC的金属屏蔽膜层，以解决现有技术利用金属外壳作为IC的电磁屏蔽，在制程上需另以机台制作并组装成形，以造成制作时间及成本耗费增加的问题。

根据本发明的目的，提出一种制造IC屏蔽镀膜的设备，其包括一基座、一工件架、若干个中频磁控靶及若干个多弧离子靶。基座包括一腔体。工件架设于腔体中，工作架与若干个转轴活动性地连接，各转轴系包括至少一治具，治具放置至少一IC。各中频磁控靶及各多弧离子靶系设于腔体中，中频磁控靶及多弧离子靶用以将一金属材料溅镀于IC上，藉此于IC的一表面形成至少一金属屏蔽膜层。

较佳地，本发明的制造IC屏蔽镀膜的设备进一步包括一抽真空装置，所述抽真空装置设于腔体中，用以抽空腔体内的空气。

较佳地，本发明的制造IC屏蔽镀膜的设备进一步包括一加热装置，所述加热装置设于腔体中，用以提升腔体内的温度。

较佳地，本发明的制造IC屏蔽镀膜的设备进一步包括一偏压装置，所述偏压装置设于腔体中，用以对IC进行离子清洗。

较佳地，中频磁控靶及多弧离子靶还用以将一化合物溅镀于至少一金属屏蔽膜层上，以形成一绝缘膜层。

较佳地，其中金属材料包括钛、镍、铜及不锈钢。

较佳地，其中多弧离子靶或中频磁控靶将钛或镍溅镀于IC的一表面，以形成一第一金属屏蔽膜层，再经由中频磁控靶或多弧离子靶将铜溅镀于第一金属屏蔽膜层上，以形成一第二金属屏蔽膜层，再藉由多弧离子靶或中频磁控靶将不锈钢或镍溅镀于第二金属屏蔽膜层上，以形成一第三金属屏蔽膜层，最后藉由中频磁控靶及多弧离子靶将氧化物、氮化物、碳化物或其组合的化合物溅镀于第三金属屏蔽膜层，以形成绝缘膜层。

较佳地，其中工件架为中空的圆形盘。

较佳地，其中工件架包括有若干个连接端，所述连接端等距地设在工件架的一面，各连接端用以分别连接各转轴。

较佳地，其中工件架为多轴公自转结构，藉由工件架及连接端的转动，以带动转轴公转及自转。

较佳地，其中所述中频磁控靶位于工件架的外侧及内侧，所述多弧离子靶位于工件架的外侧。

较佳地，其中所述中频磁控靶的一部份位于工件架的一端，所述中频磁控靶的另一部份位于工件架的相对另一端。

较佳地，其中各中频磁控靶及各多弧离子靶具有一活动式闸门，活动式闸门用以保护未进行镀膜工作的中频磁控靶或多弧离子靶，使其避免镀上由进行镀膜工作的中频磁控靶或多弧离子靶所溅射出的金属材料。