[发明专利]一种基于塑料光纤的高能辐射监测手链无效

专利信息
申请号: 201110418601.0 申请日: 2011-12-14
公开(公告)号: CN103156343A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 杜兵 申请(专利权)人: 西安金和光学科技有限公司
主分类号: A44C11/00 分类号: A44C11/00;G01T1/20
代理公司: 西安创知专利事务所 61213 代理人: 谭文琰
地址: 710075 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 塑料 光纤 高能 辐射 监测 手链
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种手链,尤其是涉及一种基于塑料光纤的高能辐射监测手链。

背景技术

宇宙间充满了高能粒子,大量的高能粒子对生物体是毁灭性的,幸好地球上有厚厚的大气层阻挡了大部分高能粒子,但在我们的生活中,还是有一些高能粒子辐射源,其来源主要有三类:放射性核元素,如钴60;机器制造的,如X射线和粒子加速器;和核反应堆。这些辐射源均经过严格的防护中才能使用。但若由于管理失误或自然灾害的影响,会使一些小范围的区域受到污染,而生活在这样区域的人短时间是无法感知的,长期处于这样的环境是非常有害的,严重的会出现造血功能障碍而生病。另外,也有一些天然材质的地板砖具有一定的辐射源,但普通人并不知道。现有的检查设备很多,但都是面向专业人员,对于普通大众使用的甚少。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术中的不足,提供一种基于塑料光纤的高能辐射监测手链,通过在手链的链绳中的塑料光纤中安置半导体闪光源以及光电探测器就可以感知周围辐射的大小,便于携带、重量轻,并具有一定的装饰性。

为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:一种基于塑料光纤的高能辐射监测手链,其特征在于:包括手链链绳、穿在手链链绳上的装饰珠和功能串珠以及设置在手链链绳一端的搭扣,所述手链链绳包括塑料光纤,所述塑料光纤中设置有至少一个半导体闪光源;所述功能串珠为透明或半透明功能串珠,在所述功能串珠内设置有相连接的电池和发光二极管,所述发光二极管与设置在功能串珠内的放大三极管的集电极连接,所述放大三极管的发射极与电池的一端连接,所述放大三极管的基极与设置在功能串珠内的光敏三级管的发射极连接,所述光敏三级管的集电极连接在放大三极管的集电极与发光二极管之间;所述光敏三级管的光敏面与塑料光纤的一端耦合。

上述的一种基于塑料光纤的高能辐射监测手链,其特征在于:所述半导体闪光源为高浓度掺锌GaInAsP半导体闪烁源。

上述的一种基于塑料光纤的高能辐射监测手链,其特征在于:所述功能串珠内设置有与发光二极管并联的电容。

上述的一种基于塑料光纤的高能辐射监测手链,其特征在于:所述手链链绳还包括加强纤维。

上述的一种基于塑料光纤的高能辐射监测手链,其特征在于:所述电池为设置有充电电极的可充电电池。

本发明与现有技术相比具有以下优点:

1、结构简单、使用方便,具有良好的便携性。

2、在构成链绳的塑料光纤内安置有多个小颗粒的半导体闪烁源,只要有高能辐射射入半导体闪烁源,半导体闪烁源就会发光,该光信号通过塑料光纤传输至功能串珠内的光敏三极管的光敏面上,从而使发光二极管闪亮,就可以知道有高能辐射情况,并可以根据发光二极管的亮度和闪光频率,知道高能辐射强度的大小。不仅具有环境辐射监测的功能,而且具有趣味性。

综上所述,本发明高能辐射监测手链结构简单、设计合理、加工制作方便、成本低且使用方便,并具有趣味性,有较好的市场前景。

下面通过附图和实施例,对本发明做进一步的详细描述。

下面通过附图和实施例,对本发明做进一步的详细描述。

附图说明

图1为本发明实施例的结构示意图。

图2为图1中部分链绳和功能串珠内部的结构示意图。

附图标记说明:

1-手链链绳;  2-装饰珠;    3-功能串珠;

5-搭扣;      6-放大三极管;7-电池;

8-光敏三极管;9-发光二极管;10-半导体闪烁源;

11-塑料光纤; 12-电容;     14-加强纤维;

15-电极。

具体实施方式

如图1和图2所示的一种基于塑料光纤的高能辐射监测手链,包括手链链绳1、穿在手链链绳1上的装饰珠2和功能串珠3以及设置在手链链绳1一端的搭扣5,所述手链链绳1包括塑料光纤11,所述塑料光纤11中设置有至少一个半导体闪光源10;所述功能串珠3为透明或半透明功能串珠,在所述功能串珠3内设置有相连接的电池7和发光二极管9,所述发光二极管9与设置在功能串珠3内的放大三极管6的集电极连接,所述放大三极管6的发射极与电池7的一端连接,所述放大三极管6的基极与设置在功能串珠3内的光敏三级管8的发射极连接,所述光敏三级管8的集电极连接在放大三极管6的集电极与发光二极管9之间;所述光敏三级管8的光敏面与塑料光纤11的一端耦合。

本实施例中,所述半导体闪光源10为高浓度掺锌GaInAsP半导体闪烁源。

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