[发明专利]光刻设备、衬底台和器件制造方法

权利要求书

1.一种具有传感器的衬底台，所述传感器包括：

设置有对辐射不透明的材料层的材料块体，所述对辐射不透明的材料层具有配置成允许辐射透射的至少一个窗口；

位于所述窗口处的波长转换材料；和

波导，所述波导定位成接收由波长转换材料发出的辐射，所述波导嵌入在所述材料块体中，并配置成引导由波长转换材料发出的辐射穿过所述材料块体并将其朝向探测器引导。

2.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述对辐射不透明的材料层和所述窗口形成衍射光栅的一部分。

3.根据权利要求1或2所述的衬底台，其中所述窗口是多个窗口中的一个。

4.根据权利要求3所述的衬底台，其中一组窗口沿着第一方向延伸，其中至少一些窗口在第二方向上具有不同的位置，所述第二方向横向于所述第一方向。

5.根据权利要求3或4所述的衬底台，其中至少一些窗口设置在不同的高度处。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的衬底台，其中每个窗口设置有单件波长转换材料。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的衬底台，其中所述波导是多个波导中的一个。

8.根据权利要求3至7中任一项所述的衬底台，其中每个窗口与不同的波导相关联。

9.根据权利要求3至8中任一项所述的衬底台，其中

a)位于所述多个窗口中的一个或更多个窗口处的波长转换材料，和/或

b)设置在一个或更多个波导中的滤光器

配置成从500-2000nm波长范围中选择一个或更多个不同的辐射波长。

10.根据权利要求3至9中任一项所述的衬底台，其中所述探测器是多个探测器中的一个。

11.根据权利要求10所述的衬底台，其中来自所述多个探测器的输出信号由处理器独立地处理。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的衬底台，其中配置成放大由波长转换材料发出的辐射的掺杂剂或非线性晶体材料设置在所述波导中，且其中光泵布置成直接地将辐射泵送至所述光导中，所述泵送的辐射具有配置成用于激发掺杂剂或用于放大非线性晶体材料中的信号的波长。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的衬底台，其中所述波长转换材料配置成在EUV辐射入射到波长转换材料上时发出波长在500-2000nm的波长范围内的辐射。

14.一种光刻设备，包括：

照射系统，配置成调节辐射束；

支撑件，构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面中赋予辐射束以形成图案化的辐射束；

带有传感器的衬底台，所述传感器包括

设置有对辐射不透明的材料层的材料块体，所述对辐射不透明的材料层具有配置成允许辐射透射的至少一个窗口，

位于所述窗口处的波长转换材料，和

波导，所述波导定位成接收由波长转换材料发出的辐射，所述波导嵌入在材料块体中并配置成引导由波长转换材料发出的辐射穿过所述材料块体并将其朝向探测器引导，

所述衬底台构造成保持衬底；和

投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。

15.一种器件制造方法，所述方法包括：

以图案形成装置对EUV辐射束进行图案化；

借助投影系统将图案化的辐射束投影到由衬底台支撑的衬底上；

借助衬底台中的传感器测量EUV辐射束的光学性质，所述传感器包括设置有对于辐射不透明的材料层的材料块体、波长转换材料和波导，所述对辐射不透明的材料层具有至少一个窗口，所述窗口配置成允许辐射透射，所述波长转换材料设置在所述窗口处，所述波导定位成接收由波长转换材料发出的辐射，所述波导嵌入在材料块体中并配置成引导由波长转换材料发出的辐射穿过所述材料块体并将其朝向探测器引导；和

借助传感器测量衬底台和图案形成装置的对准。