[发明专利]一种纳米硒织物的制造方法无效

专利信息
申请号: 201110418343.6 申请日: 2011-12-15
公开(公告)号: CN102493177A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 王超;谢春萍;苏旭中;徐伯俊;梅恒 申请(专利权)人: 江南大学
主分类号: D06M11/52 分类号: D06M11/52;C23C14/35;C23C14/06;B82Y40/00;D06M101/06;D06M101/10
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地址: 214122 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 织物 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及到一种新的纳米硒织物的制造方法,属于纺织加工领域。具体的说是将纳米硒颗粒通过磁控溅射镀膜技术紧密均匀覆盖在普通纤维织物上,使其具有丰富的功能性,用途广泛。

背景技术

硒是人体必需的微量元素,是人体内多种酶的活性中心,在生命中起着抵御疾病、延缓衰老、增强免疫功能的作用。硒具有护肝、抗癌、保护心血管、调节激素分泌、拮抗重金属、辅助放化疗、治疗白内障、清除过剩自由基等诸多生物功效。硒制品在保健食品和医药品中占有重要地位。传统硒的特点是营养剂量和毒性剂量之间范围较窄,而硒的抗癌等有益于生理的作用往往依赖于较高的摄入量。纳米硒又名硒旺胶囊,从化学上来讲,纳米硒是一种还原硒,相当于一种零价硒,零价硒没有任何一种生理学功能,进入人的身体之后不会被吸收和利用,会原封不动的排出。但是,纳米硒是一种利用纳米技术制备而成的新型研制品,不仅能够被人体吸收和利用,还能发挥有机硒、无机硒特有的功能,如抗氧化、免疫调节等。最重要的是,它具有无机硒、有机硒没有的低毒性,是世上独一无二的硒制品。

磁控溅射技术具有以下优点:1、沉积速度快,基材温升低,对膜层的损伤小;2、溅射所获得的薄膜与基片结合较好;3、对于大部分材料,只要能制成靶材,就可以实现溅射;4、溅射所获得的薄膜纯度高,致密性好,成膜均匀性好;5、溅射工艺可重复性好,可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜;6、能够精确控制镀层的厚度,同时可通过改变参数条件控制组成薄膜的颗粒大小;7、不同的金属、合金、氧化物能够进行混合,同时溅射于基材上;8、易于实现工业化。

发明内容

本发明的目的是提供一种纳米硒织物的制造方法,利用磁控溅射技术将纳米硒颗粒覆盖在普通纤维织物上,得到纳米硒织物,纳米硒颗粒构成的薄膜均匀的覆盖在纤维上,且与纤维较好的结合,增强了纳米硒织物的使用寿命,同时可根据该纳米硒织物的使用领域不同,精确调控纳米硒薄膜的厚度,易于实现工业化。

该发明的特征在于制造流程为:将纳米硒颗粒制成靶材,将普通纤维织物制成基片,采用射频磁控溅射设备,将纳米硒颗粒溅射到纤维织物制成的基片上沉积成膜,同时通过改变参数条件控制组成薄膜的颗粒大小,精确的控制镀层的厚度,经后处理之后,就制成了纳米硒织物。

具体实施方式

以下采用实施例具体说明本发明

实施例1

样品利用射频反应磁控溅射法在JGP560B型超高真空磁控溅射设备上制备。采用纳米硒颗粒制成靶材,直径55mm,厚度3mm。采用40支普通棉纱制成的斜纹织物为基片,样品制备过程中真空室气氛为纯度优于99.99%的氩气,基片与溅射靶的间距为50mm。本底真空为2.5×10-4Pa,控制建设过程中的工作气压为0.75Pa。基片温度控制在室温,射频溅射功率均控制为85W,样品沉积时间1h。

操作流程为:

基底的前处理——将载波片放在基片架上——检查设备,保证溅射室洁净——抽真空泵2.5×10-4Pa——通入工作气体——预溅射10min——结束溅射,取出样品——织物后处理——得到纳米硒织物。

实施例2

样品利用射频反应磁控溅射法在JGP560B型超高真空磁控溅射设备上制备。采用纳米硒颗粒制成靶材,直径60mm,厚度4mm。采用80支府绸为基片,样品制备过程中真空室气氛为纯度优于99.99%的氩气,基片与溅射靶的间距为50mm。本底真空为3.5×10-4Pa,控制建设过程中的工作气压为0.75Pa。基片温度控制在室温,射频溅射功率均控制为95W,样品沉积时间1h。

操作流程为:

基底的前处理——将载波片放在基片架上——检查设备,保证溅射室洁净——抽真空泵2.5×10-4Pa——通入工作气体——预溅射10min——结束溅射,取出样品——织物后处理——得到纳米硒织物。

应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应该视为本发明的保护范围。

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