[发明专利]发光二极管装置有效

专利信息
申请号: 201110415505.0 申请日: 2011-12-13
公开(公告)号: CN102646784A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 苏柏仁 申请(专利权)人: 新世纪光电股份有限公司
主分类号: H01L33/58 分类号: H01L33/58;H01L33/60
代理公司: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 代理人: 王正茂;张杏珍
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及发光二极管技术领域,尤其特别是涉及一种具有小于80度倾角的反射体及同时覆盖基材并包覆封装结构与反射体的光学镜体的发光二极管装置。

背景技术

目前,所知有关于提高发光二极管发光率的封装技术,可细分为:1.基材的设计(包含取光与散热);2.芯片的选择与排列方式;3.固晶的方式;4.金线线型与粗细;5.荧光体种类与涂布结构;6.光学镜体的曲率与折射率。如上所述,每一道关键制程都对发光二极管的散热性能、光通量、发光效率、相对温色(CCT)、演色性(CRI)、光色的均匀性及寿命等特性影响很深。因此,欲将发光二极管封装技术发挥至淋漓尽致,则必须着重于每一个细节。本发明于是提供一种发光二极管装置,通过改善反射体与光学镜体的设置方式,以优化发光二极管装置的照明亮度。

发明内容

为优化发光二极管的照明亮度,本发明提供一种发光二极管装置,此装置具有小于80度倾角的反射体及同时覆盖基材并包覆封装结构与反射体的光学镜体。

根据本发明的目的,本发明提出一种发光二极管装置,其包含:一基材、至少一发光二极管晶粒、一封装结构、一反射体及一光学镜体。其中,发光二极管晶粒固晶设置于基材上,且发光二极管晶粒还以至少一导电线与基材电性连接。另外,本发明还可以进一步包含封装结构,所述的封装结构用以封装发光二极管晶粒于基材上,封装结构由硅胶或树脂胶所组成。实际上,封装结构可以两种模态呈现,一种封装结构为包含荧光层与封装层的双层结构,其中荧光层位于封装层上,荧光层具有荧光体,此双层结构即为远程荧光体结构(Remote Phosphor),其功效着重于增进白光发光二极管的光输出;另一种即是在封装结构中掺杂荧光体,此单层结构即为共型涂布结构(Conformal Distribution),其功效着重改善白光颜色均匀性。

承上所述,反射体设在基材上且环设于发光二极管晶粒的侧边,反射体在与基材接合处具有一小于80度的倾角。具体的说,反射体的结构外观不仅可是单阶结构,还可为阶梯状的多阶结构。

此外,本发明的发光二极管装置还通过光学镜体以强化发光二极管的照明亮度,所述光学镜体同时覆盖基材并包覆反射体。因此,光学镜体的光学焦点可配合发光二极管晶粒的发光中心而设置,发光二极管装置中可包含一个或多个发光二极管晶粒。另外强调,光学镜体可为半正圆球体或半椭圆球体的平凸透镜或凹凸透镜,通过光学镜体的透镜结构可以减少全反射的发生,并增加其出光率。

本发明的发光二极管装置,其可具有一或多个下述特色及优点:

(1)本发明的发光二极管装置,通过光学镜体的光学焦点配合发光二极管晶粒的发光中心,可以优化发光二极管晶粒的照明亮度。

(2)本发明的发光二极管装置,通过光学镜体的透镜结构可以减少全反射的发生,并增加其出光率。

(3)本发明的发光二极管装置,掺杂有荧光体的封装结构具有高度的色彩控制能力。

(4)本发明的发光二极管装置,由硅胶所组成的封装结构具有高折射率、高耐温性、绝缘性、化学稳定性及高透光性等特性。

附图说明

图1A为本发明的发光二极管装置的第一实施例的示意图;

图1B为本发明的发光二极管装置的第二实施例的示意图;

图1C为本发明的发光二极管装置的第三实施例的示意图;

图2A为本发明的发光二极管装置的第四实施例的示意图;

图2B为本发明的发光二极管装置的第五实施例的示意图;

图2C为本发明的发光二极管装置的第六实施例的示意图。

附图标记说明:

100:基材,200:发光二极管晶粒,300:封装结构,310:封装层,320:荧光层,330:荧光体,400:反射体,500:光学镜体,600:导电线,a:倾角,H:光学镜体的高度,R:光学镜体的半径。

具体实施方式

以下将参照相关附图,说明本发明的发光二极管装置的实施例,为便于理解,下述实施例中的相同组件是以相同的符号标示来说明的。

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