[发明专利]四象限三端双向可控硅开关有效
| 申请号: | 201110415436.3 | 申请日: | 2011-12-08 |
| 公开(公告)号: | CN102569375A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
| 发明(设计)人: | S·梅纳德;D·阿利 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号: | H01L29/747 | 分类号: | H01L29/747;H01L29/06 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 象限 双向 可控硅 开关 | ||
1.一种竖直四象限三端双向可控硅开关,其中布置在前表面侧上的栅极区域包括第一导电类型的U形区域(27),所述U形的底部抵靠该结构的一边,第二导电类型的主前表面区域(25)在所述栅极区域的前面延伸并且被第一导电类型的主前表面区域的部分(21,22)包围。
2.根据权利要求1所述的三端双向可控硅开关,其中所述第一导电类型的两个主前表面区域(21、22)在第一导电类型的区域(23)中相接,该第一导电类型的区域(23)将第二导电类型的栅极区域与第二导电类型的主区域(25)隔开。
3.根据权利要求1所述的三端双向可控硅开关,其中第一导电类型的主后表面区域(30)在第二导电类型的主前表面区域(25)之下以及在第二导电类型的栅极区域(29)的一部分之下延伸。
4.根据权利要求2所述的三端双向可控硅开关,其中第二导电类型的轻掺杂区域(28)保持在第一导电类型的所述区域(23)在栅极侧上的邻近区域中。
5.根据权利要求1所述的三端双向可控硅开关,其中所述第一导电类型是N型,而所述第二导电类型是P型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(图尔)公司,未经意法半导体(图尔)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110415436.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类





