[发明专利]可快速量产的直立式薄膜沉积装置与方法

权利要求书

1.一种可快速量产的直立式薄膜沉积装置，其特征在于，包括：

一热处理系统，具有一加热腔体、一冷却腔体及一切换装置，用于对至少两个直立式基板进行一加热制程或一冷却制程，切换装置具有一第一对准感应装置及一第二对准感应装置；

一薄膜沉积腔体，设置于热处理系统的一侧，用以对直立式基板进行一薄膜沉积制程；以及

一卸片装置，设置于薄膜沉积腔体相对于热处理系统的另一侧，具有一卸片推杆，用以将直立式基板由薄膜沉积腔体送出至热处理系统；

其中，

通过第一对准感应装置，热处理系统的切换装置可移动加热腔体以对准薄膜沉积腔体；

通过第二对准感应装置，热处理系统的切换装置可移动冷却腔体以对准薄膜沉积腔体。

2.根据权利要求1所述的直立式薄膜沉积装置，其特征在于，所述加热腔体包括：

一第一开口端，配置于加热腔体的一侧，提供直立式基板由外部进出加热腔体的接口；

一第二开口端，配置于加热腔体的另一侧且平行相对于第一开口端，提供直立式基板进出加热腔体另一侧至薄膜沉积腔体的界面；以及

一第一送片装置，配置于加热腔体中，用以将直立式基板进出加热腔体。

3.根据权利要求1所述的直立式薄膜沉积装置，其特征在于，所述冷却腔体还包括：

一第三开口端，配置于冷却腔体的一侧，提供直立式基板进出冷却腔体的界面；

一第四开口端，配置于冷却腔体的另一侧且平行相对于第三开口端，提供直立式基板进出冷却腔体另一侧至薄膜沉积腔体的界面；以及

一第二送片装置，配置于冷却腔体中，用以将直立式基板进出冷却腔体。

4.根据权利要求1所述的直立式薄膜沉积装置，其特征在于，所述卸片装置的卸片推杆用于将直立式基板由薄膜沉积腔体送出至热处理系统的冷却腔体。

5.根据权利要求1所述的直立式薄膜沉积装置，其特征在于，所述薄膜沉积腔体为一电浆增强化学气相沉积腔体，且其操作频率介于10MHz至100MHz之间。

6.根据权利要求5所述的直立式薄膜沉积装置，其特征在于，所述电浆增强化学气相沉积腔体的操作频率为13.56MHz及40.68MHz之一。

7.根据权利要求1所述的直立式薄膜沉积装置，其特征在于，所述第一对准感应装置与第二对准感应装置是镭射、红外线或电磁感应装置。

8.根据权利要求7所述的直立式薄膜沉积装置，其特征在于，所述第一对准感应装置与第二对准感应装置为光束波长介于1000nm至2500nm的镭射。

9.一种可快速量产的薄膜沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(1)：将至少两个直立式基板经由一加热腔体的一第一开口端送入加热腔体中以进行一加热处理；

步骤(2)：由配置于一切换装置上的一第一对准感应装置将加热腔体对准一薄膜沉积腔体，将直立式基板由加热腔体在一第一时间内移动至薄膜沉积腔体以进行一薄膜沉积制程；以及

步骤(3)：通过配置于切换装置上的一第二对准感应装置将一冷却腔体对准薄膜沉积腔体，将直立式基板由薄膜沉积腔体在一第二时间内移动至冷却腔体以进行一冷却处理。

10.根据权利要求9所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述第一对准感应装置与第二对准感应装置雷射、红外线或电磁感应装置。

11.根据权利要求9所述的薄膜沉积方法，其特征在于，在步骤(2)与步骤(3)中，加热腔体与冷却腔体的对准动作通过设置于加热腔体与冷却腔体底部的一切换装置来达成加热腔体与冷却腔体的移动。

12.根据权利要求9所述的薄膜沉积方法，其特征在于，在步骤(2)中，通过加热腔体的一第一送片装置将直立式基板送入薄膜沉积腔体进行薄膜沉积制程。

13.根据权利要求9所述的薄膜沉积方法，其特征在于，在步骤(3)中，通过一卸片装置的一卸片推杆将直立式基板由薄膜沉积腔体送出至冷却腔体，其中卸片装置设置于薄膜沉积腔体的一侧且相对于加热腔体与冷却腔体的另一侧。

14.根据权利要求9所述的薄膜沉积方法，其特征在于，步骤(3)还包括：通过冷却腔体中的一第二送片装置将直立式基板送出至冷却腔体的外部。

15.根据权利要求9所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述第一时间与第二时间在30秒之内。