[发明专利]一种CuCr合金触头材料及其制备方法

权利要求书

1.一种CuCr合金触头材料的制备方法，包括如下步骤：

(1)采用物理气相沉积在自转的基片上沉积Cu膜；

(2)采用物理气相沉积，启动Cr组元的沉积，并保持Cr组元的相对沉积速率增长，在所述Cu膜上沉积CuCr合金膜a；所述Cr组元的相对沉积速率为Cr组元的沉积速率与Cu组元的沉积速率的比值，所述Cr组元的沉积速率为单位面积的所述基片上单位时间内沉积的Cr质量；所述Cu组元的沉积速率为单位面积的所述基片上单位时间内沉积的Cu质量；

(3)采用物理气相沉积，保持Cr组元的相对沉积速率不变，在所述CuCr合金膜a上继续沉积CuCr合金膜b，然后在真空条件下经原位退火即得所述CuCr合金触头材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述Cu膜的厚度为500nm～50μm；所述CuCr合金膜a的厚度为5μm～10cm；所述CuCr合金膜b的厚度为1μm～10cm。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：步骤(2)中，所述Cr组元的相对沉积速率为0～15，但不为0。

4.根据权利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于：步骤(3)中，所述Cr组元的相对沉积速率为0.01～1.5。

5.根据权利要求1-4中任一所述的方法，其特征在于：所述物理气相沉积为磁控共溅射镀膜法；所述磁控共溅射镀膜法的真空度为1×10^-3Pa～7×10^-8Pa，工作气压为0.05Pa～5Pa；气体流量为5sccm～2000sccm，自偏压为0V～2000V。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述磁控共溅射镀膜法中，所述基片的自转速率为2转/min～50转/min，Cu靶的直径为20mm～1000mm，Cr靶的直径为20mm～1000mm，Cu靶和Cr靶与所述基片的间距均为5cm～70cm。

7.根据权利要求1-4中任一所述的方法，其特征在于：所述物理气相沉积为真空蒸发镀膜法；所述真空蒸发镀膜法的真空度为1×10^-3Pa～7×10^-8Pa，所述基片的自转速率为2转/min～50转/min，Cu靶和Cr靶与所述基片的间距均为5cm～70cm。

8.根据权利要求1-7中任一所述的方法，其特征在于：所述基片为无氧铜。

9.根据权利要求1-8中任一所述的方法，其特征在于：步骤(3)中所述真空条件的真空度为5×10^-2Pa～7×10^-8Pa，所述原位退火的温度为300℃～600℃，所述原位退火的时间为30min～300min。

10.权利要求1-9中任一所述方法制备的CuCr合金触头材料。