[发明专利]物理气相薄膜沉积工艺中控制薄膜沉积速率的模型补偿方法有效
申请号: | 201110412686.1 | 申请日: | 2011-12-12 |
公开(公告)号: | CN102492931A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 王向华;吕国强;熊贤风 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | C23C14/54 | 分类号: | C23C14/54 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 何梅生 |
地址: | 230009 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 物理 薄膜 沉积 工艺 控制 速率 模型 补偿 方法 | ||
1.一种物理气相薄膜沉积工艺中控制薄膜沉积速率的模型补偿方法,其特征是按以下步骤进行:
步骤一:按以下测机方法获得薄膜沉积速率R;
选定工艺程式,设置所述工艺程式中包括镀膜时间t和靶材距离d在内的可调工艺参数为基准值,其中镀膜时间t的基准值取值为t0,补偿对象工艺参数X取值为Xi,记录Xi和与靶材消耗相关的历史记录参数T的数值Ti;把测量基片导入镀膜机,执行所述工艺程式,在测量基片上沉积薄膜材料;使用离线薄膜厚度测试装置测量薄膜厚度Di,计算与Xi和Ti相对应薄膜沉积速率Ri的数值为Di/t0;
步骤二:按照步骤一所述的测机方法,每测机一次得到一个包含测机条件和测机结果的测机数据点,其中测机条件记录为(Xi,Ti),测机结果记录为Ri,测机数据点以三维行向量形式记录为(Xi,Ti,Ri);改变测机条件,在不同的靶材消耗情况下测机,记录对应的历史记录参数Tj,并改变补偿对象工艺参数X的取值为Xj,得到一组测机条件,重复执行步骤一所述的测机方法n次,相应得到n个测机数据点,其中数值n不少于25;
步骤三:由所述步骤二得到的测机结果是一个由n个行向量组成的向量组,记录为:(Xi,Ti,Ri)|i=1,2,...n,以所述向量组按式(1)建立数学模型;
R=aX+p3T3+p2T2+p1T+R0 (1)
式(1)中a,p3,p2,p1和R0为待定的模型常数,其数值的计算方法为两步最小二乘法回归拟合:第一步是线性回归获得自变量X的模型常数a;第二步是3阶多项式回归,获得模型常数p3,p2,p1和R0;
步骤四:根据步骤三得到的数学模型,按式(2)计算补偿系数k3、k2和k1,
目标沉积速率为R的工艺程式中的补偿对象工艺参数X的设定值X0按式(3)取值:
步骤五:根据步骤四得到的补偿系数k3、k2、k1对补偿对象工艺参数设置补偿,补偿后的工艺参数X如式(4)由补偿值和设定值X0两部分组成。
X=k3T3+k2T2+k1T+X0 (4)。
2.根据权利要求1所述的物理气相薄膜沉积工艺中控制薄膜沉积速率的模型补偿方法,其特征是:所述补偿对象工艺参数X是指控制薄膜沉积速率的电功率,单位是瓦特;T为靶材消耗量参数,
式(6)中被积变量参数Y为与靶材消耗相关的工艺参数,单位为瓦特,积分变量t的单位是秒。
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