[发明专利]包括与无源元件集成的器件晶片的晶片级封装有效

专利信息
申请号: 201110412463.5 申请日: 2006-03-10
公开(公告)号: CN102386166A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: Q·甘;R·沃伦;A·洛比安科;S·梁 申请(专利权)人: 斯盖沃克斯瑟路申斯公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;B81C1/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 杨晓光;于静
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 包括 无源 元件 集成 器件 晶片 封装
【权利要求书】:

1.一种晶片级封装,包括:

器件晶片,所述器件晶片包括至少一个器件晶片接触衬垫和至少一个器件,所述至少一个器件晶片接触衬垫被电连接到所述至少一个器件;

第一聚合物层,其位于所述器件晶片之上;

至少一个无源元件,其位于所述第一聚合物层之上,所述至少一个无源元件具有第一端子和第二端子;

其中所述至少一个无源元件的所述第一端子被电连接到所述至少一个器件晶片接触衬垫,

其中所述第一聚合物层包括开口,以及所述开口形成用于所述至少一个器件的腔,

其中所述至少一个器件晶片接触衬垫被焊接到至少一个导电过孔。

2.一种晶片级封装,包括:

器件晶片,所述器件晶片包括至少一个器件晶片接触衬垫和至少一个器件,所述至少一个器件晶片接触衬垫被电连接到所述至少一个器件;

第一聚合物层,其位于所述器件晶片之上;

至少一个无源元件,其位于所述第一聚合物层之上,所述至少一个无源元件具有第一端子和第二端子;

其中所述至少一个无源元件的所述第一端子被电连接到所述至少一个器件晶片接触衬垫,

其中所述第一聚合物层包括开口,以及所述开口形成用于所述至少一个器件的腔,

其中还包括位于所述至少一个无源元件之上的第二聚合物层,

其中所述腔不包括来自所述第一聚合物层或来自所述第二聚合物层的聚合物材料。

3.一种晶片级封装,包括:

器件晶片,所述器件晶片包括至少一个器件晶片接触衬垫和至少一个器件,所述至少一个器件晶片接触衬垫被电连接到所述至少一个器件;

第一聚合物层,其位于所述器件晶片之上;

至少一个无源元件,其位于所述第一聚合物层之上,所述至少一个无源元件具有第一端子和第二端子;

其中所述至少一个无源元件的所述第一端子被电连接到所述至少一个器件晶片接触衬垫,

其中所述第一聚合物层包括开口,以及所述开口形成用于所述至少一个器件的腔,

其中还包括位于所述至少一个无源元件之上的第二聚合物层,

其中所述第一聚合物层包括与所述第二聚合物层不同的材料。

4.根据权利要求3的晶片级封装,所述至少一个无源元件位于所述第一聚合物层与所述第二聚合物层之间的界面处。

5.一种晶片级封装,包括:

器件晶片,所述器件晶片包括至少一个器件晶片接触衬垫和至少一个器件,所述至少一个器件晶片接触衬垫被电连接到所述至少一个器件;

第一聚合物层,其位于所述器件晶片之上;

至少一个无源元件,其位于所述第一聚合物层之上,所述至少一个无源元件具有第一端子和第二端子;

其中所述至少一个无源元件的所述第一端子被电连接到所述至少一个器件晶片接触衬垫,

其中所述第一聚合物层包括开口,以及所述开口形成用于所述至少一个器件的腔,

其中还包括位于所述至少一个无源元件之上的第二聚合物层,

其中所述腔由所述器件晶片与所述第一聚合物层之间的空间以及所述器件晶片与所述第二聚合物层之间的空间限定,以及没有中间层存在于所述器件晶片与所述第一聚合物层之间的所述空间或所述器件晶片与所述第二聚合物层之间的所述空间中。

6.一种晶片级封装,包括:

器件晶片,所述器件晶片包括至少一个器件晶片接触衬垫和至少一个器件,所述至少一个器件晶片接触衬垫被电连接到所述至少一个器件;

第一聚合物层,其位于所述器件晶片之上;

至少一个无源元件,其位于所述第一聚合物层之上,所述至少一个无源元件具有第一端子和第二端子;

其中所述至少一个无源元件的所述第一端子被电连接到所述至少一个器件晶片接触衬垫,

其中所述第一聚合物层包括开口,以及所述开口形成用于所述至少一个器件的腔,

其中还包括位于所述至少一个无源元件之上的第二聚合物层,

还包括位于所述第一聚合物层和所述第二聚合物层中的金属密封环,

其中所述器件晶片还包括金属器件晶片环,其中所述金属器件晶片环围绕所述至少一个器件,其中所述金属器件晶片环被连接到所述金属密封环,

其中所述金属器件晶片环被连接到所述器件晶片中的地。

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