[发明专利]一种氚增殖用正硅酸锂小球密实化的方法有效
申请号: | 201110410998.9 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN103159222A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 罗天勇 | 申请(专利权)人: | 核工业西南物理研究院 |
主分类号: | C01B33/32 | 分类号: | C01B33/32 |
代理公司: | 核工业专利中心 11007 | 代理人: | 高尚梅 |
地址: | 610041 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增殖 硅酸 小球 密实 方法 | ||
1.一种氚增殖用正硅酸锂小球密实化的方法,该方法包括以下步骤:
(1)将低密度正硅酸锂小球置于热等静压设备的炉腔中;
(2)向热等静压设备的炉腔内充入氩气,控制炉腔中的压强达到20Mpa以上;
(3)逐步加温加压,炉腔温度提升至700-1000℃,压强提升至100-200Mpa,维持高温高压状态1-4个小时;
(4)炉腔冷却至100-200℃,泄压;将正硅酸锂小球取出,在空气中冷却至室温,即得到高密度的正硅酸锂小球。
2.根据权利要求1所述的一种氚增殖用正硅酸锂小球密实化的方法,其特征在于:所述的步骤(1)中的低密度正硅酸锂是采用湿法工艺制备而成的。
3.根据权利要求1或2所述的一种氚增殖用正硅酸锂小球密实化的方法,其特征在于:在所述的步骤(1)之前,首先将所述的低密度正硅酸锂小球装入开口的石英罐内。
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