[发明专利]非易失性存储器以及其编程与读取方法

权利要求书

1.一种可编程式非易失性存储胞，设置于一硅覆绝缘结构上，其特征在于包含：

一基底；

一第一隔离结构，设置于该基底上；

一第一掺杂区，设置于该第一隔离结构上；

一栅极，设置于该第一掺杂区上；

一栅极介电层，设置于该第一掺杂区以及该栅极之间；

一第二掺杂区，设置于该第一隔离结构上，其中该第二掺杂区与该第一掺杂区直接接触并与该第一掺杂区形成一P-N接面；以及

一第二隔离结构，设置于该第一隔离结构上，其中该第二隔离结构包围且直接接触该第一掺杂区以及该第二掺杂区。

2.如权利要求1所述的一种可编程式非易失性存储胞，其特征在于该第二掺杂区为N型掺杂区且该第一掺杂区为P型掺杂区。

3.如权利要求1所述的一种可编程式非易失性存储胞，其特征在于该第一掺杂区包含一第一重掺杂区，且该第一重掺杂区与该第二掺杂区直接接触。

4.如权利要求1所述的一种可编程式非易失性存储胞，其特征在于该第二掺杂区包含一第二重掺杂区，且该第二重掺杂区与该第二隔离结构直接接触。

5.如权利要求1所述的一种可编程式非易失性存储胞，其特征在于该可编程式非易失性存储胞是利用氧化崩溃现象进行编程，且该可编程式非易失性存储胞的编程状态是取决于该栅极介电层是否破裂。

6.如权利要求3所述的一种可编程式非易失性存储胞，其特征在于该第一重掺杂区和该栅极具有相同的掺质类型。

7.一种可编程式非易失性存储胞的编程方法，其特征在于包含：

提供多个非易失性存储胞，并从该等非易失性存储胞中选择一个作为一目标非易失性存储胞，其中各该非易失性存储胞包含：

一基底；

一第一隔离结构，设置于该基底上；

一第一掺杂区，设置于该第一隔离结构上；

一栅极，设置于该第一掺杂区上；

一栅极介电层，设置于该第一掺杂区以及该栅极之间；

一第二掺杂区，设置于该第一隔离结构上，其中该第二掺杂区与该第一掺杂区直接接触并与该第一掺杂区形成一P-N接面；以及

一第二隔离结构，设置于该第一隔离结构上，其中该第二隔离结构包围且直接接触该第一掺杂区以及该第二掺杂区；以及

进行一编程步骤，包含对该目标非易失性存储胞的该栅极施加一编程电压以及对该目标非易失性存储胞的该第二掺杂区施加0伏特的电压。

8.如权利要求7所述的一种可编程式非易失性存储胞的编程方法，其特征在于还包含：

将除了该目标非易失性存储胞以外的该等非易失性存储胞的该栅极施加一小于该编程电压的电压；以及

将除了该目标非易失性存储胞以外的该等非易失性存储胞的该第二掺杂区施加一小于该编程电压的电压。

9.如权利要求7所述的一种可编程式非易失性存储胞的编程方法，其特征在于该目标非易失性存储胞进行编程时，其氧化层会破裂，以从一电容形态转变成为一电阻形态。

10.如权利要求7所述的一种可编程式非易失性存储胞的编程方法，其特征在于该等非易失性存储胞的各该第二掺杂区分别电性连结至一位元线，且该等非易失性存储胞的各该栅极分别电性连接至一字元线。

11.如权利要求7所述的一种可编程式非易失性存储胞的编程方法，其特征在于该第二掺杂区为N型掺杂区且该第一掺杂区为P型掺杂区。