[发明专利]过压保护电路

权利要求书

1.一种过压保护电路，包括供电电源及多个电压调节模块，所述供电电源用于分别输出多个输入电源至多个所述电压调节模块，每一所述电压调节模块分别对对应的所述输入电源进行调整，并输出调整后的输出电源，其特征在于：所述过压保护电路还包括比较电路及与所述电压调节模块数量相当的多个分压电路，所述比较电路包括比较器；多个所述分压电路分别对对应的所述输出电源进行分压，并将分压后的电压输出至所述比较器的同一输入端；所述比较器用于将多个所述分压电路共同输入的电压与一参考电压进行比较，当多个所述输出电源中至少一个发生过电压时，所述比较器输出信号控制所述供电电源停止输出所述多个输入电源。

2.如权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于：每一所述分压电路包括第一隔离二极管及相互串联的第一分压电阻及第二分压电阻，所述第一分压电阻电性连接至对应的所述电压调节模块的输出端，第二分压电阻接地，所述第一隔离二极管的阳极电性连接至所述第一分压电阻及第二分压电阻之间的节点，阴极电性连接至所述比较器。

3.如权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于：所述比较器的同相输入端电性连接至每一所述分压电路的第一隔离二极管的阴极，反相输入端电性连接至一参考电源，输出端电性连接至所述供电电源，所述参考电源用于提供所述参考电压，当多个所述输出电源均在额定电压范围时，比较器输出低电平；当多个所述输出电源中至少一个发生过电压时，比较器输出高电平。

4.如权利要求3所述的过压保护电路，其特征在于：所述比较电路还包括第一电子开关及一第一限流电阻，所述第一电子开关为N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其栅极电性连接至所述比较器的输出端，源极接地，漏极通过所述第一限流电阻电性连接至一电源，所述漏极还电性连接至所述供电电源；当多个输出电源中至少一个发生过电压时，比较器输出高电平使所述第一电子开关导通，所述第一电子开关输出低电平至所述供电电源，控制供电电源停止输出多个所述输入电源。

5.如权利要求3所述的过压保护电路，其特征在于：所述比较电路还包括第一电子开关及一第一限流电阻，所述第一电子开关为NPN型三极管，其基极电性连接至所述比较器的输出端，发射极接地，集电极通过所述第一限流电阻电性连接至一电源，所述集电极还电性连接至所述供电电源；当多个输出电源中至少一个发生过电压时，比较器输出高电平使所述第一电子开关导通，所述第一电子开关输出低电平至所述供电电源，控制供电电源停止输出多个所述输入电源。

6.如权利要求3所述的过压保护电路，其特征在于：所述过压保护电路还包括放电电路，所述放电电路包括第二电子开关，所述第二电子开关电性连接至所述比较器的输出端，多个所述输出电源通过所述第二电子开关接地，当比较器输出高电平时，第二电子开关导通使多个所述输出电源接地进行放电。

7.如权利要求6所述的过压保护电路，其特征在于：所述第二电子开关为N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其栅极电性连接至所述比较器的输出端，源极接地，漏极电性连接至多个所述电压调节模块的输出端。

8.如权利要求6所述的过压保护电路，其特征在于：所述第二电子开关为NPN型三极管，其基极电性连接至所述比较器的输出端，发射极接地，集电极电性连接至多个所述电压调节模块的输出端。

9.如权利要求6所述的过压保护电路，其特征在于：所述放电电路还包括与多个输出电源数量相当的多个第二隔离二极管，每一第二隔离二极管的阴极均电性连接至电子开关，每一第二隔离二极管的阳极分别对应连接至其中一个电压调节模块。