[发明专利]电平转换电路

权利要求书

1.一种电平转换电路，其特征在于，包括：电平转换器和第一反相器；

所述电平转换器包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管；其中，所述第一NMOS管的源极接地，漏极连接第一PMOS管的漏极，栅极连接第一反相器的输入端，并作为电平转换器的输入端；所述第二NMOS管的源极接地，栅极连接第一反相器的输出端，漏极连接第二PMOS管的漏极，并作为所述电平转换电路的输出端；所述第一PMOS管的源极连接第一电源，栅极连接第二NMOS管的漏极；所述第二PMOS管的源极连接第一电源，栅极连接第一NMOS管的漏极；所述第一反相器的电源端连接第一电源；其中，所述第一电源提供第一高电平电压，所述电平转换电路的输入电压在0V至第二高电平电压的范围内。

2.如权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一反相器包括CMOS反相器。

3.如权利要求2所述的电平转换电路，其特征在于，所述CMOS反相器包括：第三PMOS管和第三NMOS管；所述第三PMOS管的源极耦接于第一电源，栅极与第三NMOS管的栅极相连，并作为所述第一反相器的输入端，漏极与第三NMOS管的漏极相连，并作为所述第一反相器的输出端；所述第三NMOS管的源极接地。

4.如权利要求3所述的电平转换电路，其特征在于，所述CMOS反相器还包括第四PMOS管，所述第四PMOS管的源极连接第一电源，栅极与其漏极相连并连接至第三PMOS管的源极。

5.如权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一高电平电压大于所述第二高电平电压。

6.如权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，还包括缓冲单元，所述缓冲单元的输入端作为电平转换电路的输入端接收输入信号，其输出端连接电平转换器的输入端。

7.如权利要求6所述的电平转换电路，其特征在于，所述缓冲单元包括顺序连接的偶数个反相器，第一个反相器的输入端接收输入信号，最后一个反相器的输出端连接电平转换电路的输入端。

8.如权利要求7所述的电平转换电路，其特征在于，所述缓冲单元包括第二反相器和第三反相器；所述第二反相器包括第五PMOS管和第四NMOS管，所述第三反相器包括第六PMOS管和第五NMOS管；

其中，所述第五PMOS管与第四NMOS管的栅极相连，并作为所述缓冲单元的输入端；所述第五PMOS管与第四NMOS管的漏极相连，作为所述第二反相器的输出端，连接至所述第三反相器的输入端；所述第五PMOS管的源极连接第二电源，第四NMOS管的源极接地；

所述第六PMOS管与第五NMOS管的栅极相连，并作为所述第三反相器的输入端；所述第六PMOS管与第五NMOS管的漏极相连，并作为所述第三反相器的输出端，连接至电平转换电路的输入端；所述第六PMOS管的源极连接第二电源，所述第五NMOS管的源极接地；所述第二电源提供第二高电平电压。

9.如权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一PMOS管与第二PMOS管的宽长比相同；所述第一NMOS管与第二NMOS管的宽长比相同。

10.如权利要求9所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一NMOS管的宽长比与第一PMOS管的宽长比之间的比值范围为8～10。

11.如权利要求9所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一NMOS管和第二NMOS管的宽长比范围为16～20。