[发明专利]一种Mo(Sil-x,Alx)2/MoSi2复相硅化钼材料发热体的制备方法有效
| 申请号： | 201110409146.8 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103159482A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 蔡泽 | 申请（专利权）人： | 洛阳新巨能高热技术有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 471003 河南省洛阳*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mo si sub al mosi 复相硅化钼 材料 发热 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种属于发热体领域的制备方法，特别是涉及一种Mo(Si1-x，Alx)2/MoSi2(x＝0.1-0.6)复相硅化钼材料发热体的制备方法。
背景技术
MoSi2由于其熔点高(2030℃)、较低的密度(6.24g/cm3)、良好的导热导电性及较好的抗氧化性能等优点，从60年代由瑞典的康太尔公司研制的硅钼棒发热元件以来，作为工业电阻发热体的主流，已经在冶金、电子、玻璃、陶瓷和磁性材料等行业得到广泛应用。同时，MoSi2也是最有研究开发潜力的高温结构材料之一。但是，单相二硅化钼材料室温韧性差，高温区域强度低又极易发生蠕变，在中温区域(400700℃)易发生加速氧化行为，且不适宜在还原性气氛如氮气、真空下使用，这都限制了二硅化钼材料的运输、加工及进一步应用。
有鉴于上述现有的二硅化钼材料存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的Mo(Si1-x，Alx)2/MoSi2复相发热体的制备方法，能够改进一般现有的二硅化钼材料，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于，克服现有的二硅化钼材料存在的缺陷，而提供一种新的Mo(Si1-x，Alx)2/MoSi2复相发热体的制备方法，所要解决的技术问题是使其提高了硅化钼材料的低温抗氧化性能，延长了其在低温和还原性气氛下的使用寿命。本发明提供了一种Mo(Si1-x，Alx)2/MoSi2复合相硅化钼材料发热体的制备方法，可以提高硅化钼材料的低温抗氧化性能，延长其在低温和还原性气氛下的使用寿命，非常适于实用。
本发明的另一目的在于工艺设备及现场操作简单，且有利于节约能源，降低生产成本。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种Mo(Si1-x，Alx)2/MoSi2复相(即C40和C11b)硅化钼材料发热体的制备方法，其特征在于具体工艺步骤为：将Mo粉、Si粉和Al粉沿着MoSi2-MoAl2连线进行配料，以酒精为介质湿混，干燥后球磨，在200MPa的压力下压制成为坯体，然后将料坯放入自蔓延合成装置内，进行合成反应。将自蔓延反应得到的产物结合剂按比例配料，炼泥后挤出成型，经干燥、烧结、成膜处理及焊接后，得到硅化钼材料发热体。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的Mo(Si1-x，Alx)2/MoSi2复相发热体的制备方法，其中所述的Mo粉的粒径为110μm，纯度大于99％；所述的Si粉的粒径为618μm，纯度大于99％；所述的Al粉的粒径为640μm，纯度大于99％。
前述的Mo(Si1-x，Alx)2/MoSi2复相发热体的制备方法，其中原料球磨湿混1020h，100200℃干燥后在行星式球磨机上再磨46h。
前述的Mo(Si1-x，Alx)2/MoSi2复相发热体的制备方法，其中所述的自蔓延产物中，Mo(Si1-x，Alx)2与MoSi2的质量比为1∶130；所述的Mo(Si1-x，Alx)2材料中的x＝0.10.6。
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