[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

一个或多个柱状沟道插塞；

多个字线和多个电介质层，所述多个字线和所述多个电介质层交替地层叠以围绕所述柱状沟道插塞；

存储层，所述存储层位于所述字线与所述柱状沟道插塞之间；

多个字线连接部，所述多个字线连接部中的每个将所述多个字线之中的公共层的字线的端部连接；以及

多个字线延伸部，所述多个字线延伸部自所述字线连接部延伸。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述字线延伸部被形成为阶梯式结构。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，所述字线延伸部具有变化的长度，所述长度从最上层到最下层增加。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，同一层中的字线、字线连接部和字线延伸部由同一导电层形成。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，在同一层中形成至少两个字线延伸部。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述字线延伸部中的每个从所述字线连接部中的相应的一个的大致中央部分开始沿一个方向延伸。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述字线延伸部从所述字线连接部的两个边沿开始延伸，或者与所述字线连接部的两个边沿分隔一定的距离。

8.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述字线延伸部从所述字线连接部的一个边沿开始沿倾斜方向延伸。

9.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述字线连接部和所述字线延伸部包括：

第一字线连接部，所述第一字线连接部连接所述字线中的一些的端部；

多个第一字线延伸部，所述多个第一字线延伸部自所述第一字线连接部起沿倾斜方向延伸且具有阶梯式的结构；

第二字线连接部，所述第二字线连接部连接其余字线的端部；以及

多个第二字线延伸部，所述多个第二字线延伸部自所述第二字线连接部起沿倾斜方向延伸且具有阶梯式的结构。

10.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括多个支撑层，所述多个支撑层设置在所述电介质层之间以与所述字线延伸部接触。

11.如权利要求10所述的非易失性存储器件，其中，所述电介质层由氧化物层形成，且所述支撑层由氮化物层形成。

12.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，同一层中的字线连接部包括将公共层中的所有多个字线的端部连接的一个字线连接部。

13.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，同一层中的字线连接部包括：

第一字线连接部，所述第一字线连接部连接所述字线中的一些字线的端部；以及

第二字线连接部，所述第二字线连接部连接其余字线的端部。

14.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括设置在所述字线延伸部中的每个上的字线接触。

15.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述沟道插塞成对，且所述非易失性存储器件还包括：

管沟道，所述管沟道连接所述沟道插塞的底部；以及

填充所述管沟道的管栅。