[发明专利]LDMOS晶体管制造方法及LDMOS晶体管有效

申请号：	201110407803.5	申请日：	2011-12-09
公开（公告）号：	CN103165452A	公开（公告）日：	2013-06-19
发明（设计）人：	杨文清;张帅	申请（专利权）人：	上海华虹NEC电子有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	王江富
地址：	201206 上***	国省代码：	上海;31
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	ldmos 晶体管制造方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种LDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，

首先，在LDMOS晶体管的耗尽区上方形成氧化层，在靠近源极一端的LDMOS的耗尽区上方的氧化层上方形成有多晶硅场板；

然后，对LDMOS晶体管的耗尽区进行杂质离子注入，其中，对无多晶硅场板覆盖的LDMOS晶体管的耗尽区，进行垂直杂质离子注入，即进行0度角杂质离子注入；对于有多晶硅场板覆盖的LDMOS晶体管的耗尽区，进行斜角离子注入，斜角离子注入的杂质离子的注入能量在大于垂直杂质离子注入的能量，斜角离子注入的杂质离子的注入剂量小于垂直杂质离子注入的能量，并且随着斜角逐渐增大到90度，杂质离子的注入能量逐渐增大，杂质离子的注入剂量逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，

垂直杂质离子注入的杂质离子的注入能量大于等于450Kev，注入剂量大于等于5E12/cm²；斜角离子注入的杂质离子的注入能量在200Kev到450Kev之间，注入剂量在1E11/cm²到5E12/cm²之间。

3.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，

LDMOS晶体管的耗尽区为N型，N型耗尽区形成在P型硅外延中。

4.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，

LDMOS晶体管的耗尽区为P型，P型耗尽区形成在N型硅外延中。

5.一种LDMOS晶体管，其耗尽区中的杂质离子浓度随着到源极的距离的增大而较小。

6.根据权利要求5所述的LDMOS晶体管，其特征在于，

LDMOS晶体管的耗尽区为N型，N型耗尽区形成在P型硅外延中。

7.根据权利要求5所述的LDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，

LDMOS晶体管的耗尽区为P型，P型耗尽区形成在N型硅外延中。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。