[发明专利]一种清洁晶片背面聚合物的装置和方法

权利要求书

1.一种清洁晶片背面聚合物的装置，其围绕设置于一等离子体刻蚀室中的晶片和支撑所述晶片的基座的外周侧，所述晶片的边缘突出于所述的基座的上表面的边缘，特征在于：所述装置包括：

一聚焦环，其围绕设置于所述晶片的外周侧；所述聚焦环具有一延伸部，其至少部分地延伸至晶片背面的边缘之下；

一导电环，其围绕设置于所述基座的外周侧，位于所述聚焦环的下方，所述导电环和所述聚焦环之间设置一绝缘层；

一直流电源，可选择地连通到所述导电环，为其提供一静电位。

2.根据权利要求1所述的清洁晶片背面聚合物的装置，其特征在于：所述的基座包括一延伸部，所述的延伸部上方和所述聚焦环之间设置一绝缘插入环，所述的导电环为采用镀膜方式涂覆在所述绝缘插入环上表面的导电层，所述的绝缘层涂覆在所述导电层上表面。

3.根据权利要求1所述的清洁晶片背面聚合物的装置，其特征在于：所述的基座包括一延伸部，所述的延伸部上方和所述聚焦环之间设置一绝缘插入环，所述的导电环放置在所述绝缘插入环上，所述导电环外表面包裹一层绝缘层。

4.根据权利要求1所述的清洁晶片背面聚合物的装置，其特征在于：所述聚焦环下表面涂覆绝缘层，所述导电环为涂覆在所述绝缘层下的导电层，所述的导电层下涂覆绝缘层。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的清洁晶片背面聚合物的装置，其特征在于：所述的导电环和所述的直流电源间串联一开关，所述的直流电源另一端接地。

6.根据权利要求2、3或4所述的清洁晶片背面聚合物的装置，其特征在于：所述的导电环为金属或非金属导电材料。

7.根据权利要求1、2、3或4所述的清洁晶片背面聚合物的装置，其特征在于：所述的聚焦环由硅、碳化硅或二氧化硅材料制成。

8.根据权利要求1所述的清洁晶片背面聚合物的装置，其特征在于：所述的导电环具有一内径大于基座半径，以及一外径大于等于晶圆半径小于聚焦环远离晶圆端的外径。

9.根据权利要求1所述的清洁晶片背面聚合物的装置，其特征在于：所述直流电源提供一静电位大于500V。

10.一种清洁晶片背面聚合物的装置，其围绕设置于一等离子体蚀刻室中的晶片和支撑所述晶片的基座的外周侧，所述晶片的边缘突出于所述的基座的上表面的边缘，特征在于：所述装置包括：

一聚焦环，其围绕设置于所述晶片的外周侧；所述聚焦环具有一延伸部，其至少部分地延伸至晶片背面的边缘之下；

一导电环，其嵌入所述聚焦环内部；所述导电环外包裹一绝缘层；

一直流电源，可选择的连通到所述导电环，为其提供静电位。

11.根据权利要求9所述的清洁晶片背面聚合物的装置，其特征在于：所述的导电环为铜片、铝片、铁片或合金片。

12.一种等离子体蚀刻室，其特征在于，包含晶片、用于支撑该晶片的基座，以及围绕设置于该基座的外周侧的用于清洁晶片背面聚合物的装置；其中，所述的晶片的边缘突出于所述的基座的上表面的边缘；所述装置包含：

一聚焦环，其围绕设置于所述晶片的外周侧；所述聚焦环具有一延伸部，其至少部分地延伸至晶片背面的边缘之下；

一导电环，其围绕设置于所述基座的外周侧，位于所述聚焦环的下方，所述导电环和所述聚焦环之间设置一绝缘层；

一直流电源，可选择的连通到所述导电环，为其提供静电位。

13.一种等离子体蚀刻室，其特征在于，包含晶片、用于支撑该晶片的基座，以及围绕设置于该基座的外周侧的用于清洁晶片背面聚合物的装置；其中，

所述的晶片的边缘突出于所述的基座的上表面的边缘；

所述的用于清洁晶片背面聚合物的装置包含：

一聚焦环，其围绕设置于所述晶片的外周侧；所述聚焦环具有一延伸部，其至少部分地延伸至晶片背面的边缘之下；

一导电环，其嵌入所述聚焦环内部；所述导电环外包裹一绝缘层；

一直流电源，可选择的连通到所述导电环，为其提供静电位。