[发明专利]一种大分子单体修饰的量子点、制备方法及其应用有效
申请号: | 201110407334.7 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN102492068A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 陈苏;朱琳;周进;高德康;王文洪 | 申请(专利权)人: | 江苏康纳思光电科技有限公司 |
主分类号: | C08F120/06 | 分类号: | C08F120/06;C08F293/00;C08F220/18;C08F2/38;C08F8/42;C09K11/88;C09K11/56;H01L33/50 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 郭百涛 |
地址: | 215500 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大分子 单体 修饰 量子 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种大分子单体修饰的荧光量子点,其特征在于:大分子单体修饰的荧光量子点的粒径为2~20nm,水溶性,量子产率为20~95%,光致发光谱的半峰宽为20~80nm,所述的荧光量子点为ZnxCd1-xS、ZnxCd1-xTe、ZnxCd1-xSe中的一种,其中0≤x≤1;或者所述的荧光量子点为CdTe/CdS、CdTe/ZnS、CdS/ZnS、CdTe/CdSe、CdTe/CdS/ZnS、CdTe/CdS/CdS、CdS/CdTe/CdS、CdTe/CdS/ZnS、CdTe/CdSe/CdTe或CdTe/CdSe/ZnS量子点;所述的大分子单体作为配体为聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸羟乙酯、聚甲基丙烯酸羟丙酯或聚甲基丙烯酸-b-聚丙烯酸丁酯嵌段共聚物中的一种,大分子单体与金属离子的摩尔比为0.5∶1~5∶1。
2.根据权利要求1所述的大分子单体修饰的荧光量子点,其特征在于所述的荧光量子点为CdTe、CdS、CdTe/CdS或CdTe/ZnS量子点;所述的大分子单体为聚甲基丙烯酸或聚甲基丙烯酸-b-聚丙烯酸丁酯嵌段共聚物;所述的大分子单体是水溶性的,分子量为1500~3000。
3.一种大分子单体修饰的荧光量子点的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
a、以三氟化硼乙醚溶液为催化剂,以醋酸钴和丁二酮圬为原料,在乙醚溶液中常温搅拌而制备得CoBF棕色沉淀,再将沉淀经过滤、冰水洗涤、常温干燥、甲醇中重结晶后获得棕色粉末状CoBF催化链转移剂;
b、以CoBF为催化剂,于高纯氮气氛中,通过催化链转移聚合反应获得大分子产物,除去未反应单体和溶剂,获得末端含有双键的大分子单体粉末;
c、将金属盐溶于去离子水后,用步骤b所制得的大分子单体与溶液中金属离子配位,用氢氧化钠水溶液调节其pH后置于微波反应器中在氮气氛围下加热,获得量子点前躯体溶液;
d、将碲氢化钠、硒氢化钠或硫化钠注入热的前躯体溶液中,继续微波辅助加热1~120min,不同时间取样获得具备不同发射荧光的量子点溶液;
e、将量子点溶液用乙醇沉淀,离心,再分散于纯净水中;
f、以步骤e所制得的量子点溶液为母液,重复步骤c、d、e,获得核壳量子点溶液。
4.根据权利要求3所述的大分子单体修饰的荧光量子点的制备方法,其特征在于步骤a中所述的搅拌速度为100~300rpm,所述的重结晶次数为两次以上。
5.根据权利要求3所述的大分子单体修饰的荧光量子点的制备方法,其特征在于步骤b中所述的聚合反应的单体是甲基丙烯酸、丙烯酸、甲基丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸羟丙酯或丙烯酸丁酯。
6.根据权利要求3所述的大分子单体修饰的荧光量子点的制备方法,其特征在于步骤b中所述的催化链转移反应温度为40~80℃,反应时间为30~90min,反应的溶剂为丙酮或者异丙醇。
7.根据权利要求3所述的大分子单体修饰的荧光量子点的制备方法,其特征在于步骤c中所述的金属盐为氯化镉、氯化锌或者氯化锌和氯化镉的混合物,金属盐摩尔浓度为5~20mmol/L,大分子单体与金属离子的摩尔比为0.5∶1~5∶1;步骤c中所述的微波反应器功率为900W,加热温度为30~100℃;步骤c中所述的氢氧化钠水溶液的浓度为2mol/L,溶液pH值调至8~12。
8.根据权利要求3所述的大分子单体修饰的荧光量子点的制备方法,其特征在于步骤d中所述的还原反应时间为4~7h,金属离子与碲粉或硒粉的摩尔比为0.5∶1~2∶1;步骤d中所述的绿色荧光量子点取样时间为1~15min,黄色荧光量子点取样时间为30~60min,红色荧光量子点取样时间为60~120min;所述的碲氢化钠、硒氢化钠是通过将碲粉或硒粉在冰浴中用硼氢化钠还原得到。
9.根据权利要求3所述的大分子单体修饰的荧光量子点的制备方法,其特征在于步骤e中所述的离心速度为3000~15000rpm,离心时间为10~30min。
10.一种如权利要求1或2所述的大分子单体修饰的荧光量子点在制造发光器件中的应用。
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