[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有待互连区域；

位于所述衬底表面的超低K介质层，所述超低K介质层内具有暴露出所述待互连区域的第二沟槽；

位于所述超低K介质层表面的低K介质层，所述低K介质层填充满第二沟槽；

贯穿所述低K介质层厚度且与待互连区域相连接的互连结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二沟槽的尺寸大于互连结构的尺寸。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述互连结构为大马士革铜互连结构。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述超低K介质层的材料为多孔介质材料。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述低K介质层的材料为掺杂有氟、碳、氢的二氧化硅，无定形碳或有机聚合物。

6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有待互连区域；

在所述衬底表面形成超低K介质层；

在所述超低K介质层内形成暴露出所述待互连区域的第一沟槽，除去所述超低K介质层的损伤区，形成第二沟槽；

在所述超低K介质层表面形成低K介质层，所述低K介质层填充满所述第二沟槽；

在所述低K介质层内形成互连结构，所述互连结构贯穿所述低K介质层的厚度且与待互连区域相连接。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二沟槽的尺寸大于所述互连结构的尺寸。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述损伤区包括位于第一沟槽的侧壁的损伤区和位于超低K介质层的表面的损伤区。

9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，除去所述损伤区的工艺为湿法刻蚀工艺。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的溶液为稀释氢氟酸。

11.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述超低K介质层的材料为多孔介质材料。

12.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述超低K介质层的工艺包括化学气相沉积工艺或溶胶-凝胶工艺。

13.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述超低K介质层的材料为二氧化硅气凝胶时，利用所述溶胶-凝胶工艺形成二氧化硅气凝胶具体包括：利用化学气相沉积工艺在所述衬底表面形成烷氧基硅烷，然后将所述烷氧基硅烷进行混合水解反应形成二氧化硅湿凝胶，将所述二氧化硅湿凝胶进行干燥处理，形成二氧化硅气凝胶。

14.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二沟槽内填充满低K介质层的工艺包括：在所述第一沟槽内和超低K介质层表面形成低K介质材料，利用化学机械研磨工艺对所述低K介质材料进行研磨，形成位于所述超低K介质层表面的低K介质层，且所述低K介质层填充满所述第二沟槽内。

15.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述互连结构的工艺为大马士革工艺或双大马士革工艺。