[发明专利]晶片封装体及其形成方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一半导体基底，具有一第一表面及与该第一表面相反的一第二表面；

一漏极区，位于该半导体基底中；

一源极区，位于该半导体基底中；

一栅极，位于该半导体基底之上或至少部分埋于该半导体基底之中，其中该栅极与该半导体基底之间隔有一栅极介电层；

一漏极导电结构，设置于该半导体基底的该第一表面上，且电性连接该漏极区；

一源极导电结构，设置于该半导体基底的该第二表面上，且电性连接该源极区；以及

一栅极导电结构，设置于该半导体基底的该第一表面上，且电性连接该栅极。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

一孔洞，自该半导体基底的该第一表面朝该第二表面延伸；

一导电层，位于该孔洞的一侧壁上，其中该导电层电性连接该栅极与该栅极导电结构；以及

一绝缘层，位于该导电层与该半导体基底之间。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一第一保护层，设置于该半导体基底的该第一表面上，其中该第一保护层具有至少一第一开口及至少一第二开口，分别露出部分的该漏极导电结构及部分的该栅极导电结构。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一第二保护层，设置于该半导体基底的该第二表面上，其中该第二保护层具有至少一开口，露出部分的该源极导电结构。

5.根据权利要求4所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一凸块下金属层，顺应性位于该第二保护层之上，且延伸进入该开口而电性连接该源极导电结构。

6.根据权利要求4所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一承载基底，设置于该第二保护层之上。

7.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，该承载基底具有至少一开口，露出部分的该源极导电结构。

8.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一凸块下金属层，顺应性位于该承载基底之上，且延伸进入该第二保护层的该开口而电性连接该源极导电结构。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一承载基底，设置于该半导体基底的该第二表面上。

10.根据权利要求9所述的晶片封装体，其特征在于，该承载基底具有至少一开口，露出部分的该源极导电结构。

11.一种晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基底，该半导体基底具有一第一表面及一第二表面，其中该半导体基底中具有一漏极区及一源极区，且一栅极位于该半导体基底之上或至少部分埋于该半导体基底之中，该栅极与该半导体基底之间隔有一栅极介电层；

于该半导体基底的该第一表面上形成一漏极导电结构，其中该漏极导电结构电性连接该漏极区；

于该半导体基底的该第二表面上形成一源极导电结构，其中该源极导电结构电性连接该源极区；以及

于该半导体基底的该第一表面上形成一栅极导电结构，其中该栅极导电结构电性连接该栅极。

12.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括：

自该半导体基底的该第一表面移除部分的该半导体基底以形成朝该第二表面延伸的一孔洞；

于该孔洞的一侧壁上形成一绝缘层；以及

于该孔洞中的该绝缘层上形成一导电层，其中该导电层电性连接该栅极与该栅极导电结构。

13.根据权利要求12所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，在形成该孔洞的步骤之前，还包括自该半导体基底的该第一表面薄化该半导体基底。

14.根据权利要求13所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，在薄化该半导体基底的步骤之前，还包括于该半导体基底的该第二表面上设置一承载基底。

15.根据权利要求14所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括：

在于该孔洞中形成该导电层之后，于该半导体基底的该第一表面上设置一第二承载基底；

在设置该第二承载基底之后，移除该承载基底；

将该半导体基底设置于一薄膜框载体上，其中该半导体基底的该第二表面面向该薄膜框载体；以及

移除该第二承载基底。