[发明专利]具有整合被动元件的半导体元件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明关于一种基材及其加工方法，详言之，关于一种具有整合被动元件的半导体元件及其制造方法。

背景技术

已知电路中通常会具有电阻器及电感器等被动元件。为了微型化目的，将该电阻器及该电感器整合至半导体工艺以形成一具有整合被动元件(Integrated Passive Device，IPD)的半导体元件便为一大趋势。然而，该已知半导体元件的厚度无法有效减少，而无法达到微型化的目的。

因此，有必要提供一种具有整合被动元件的半导体元件及其制造方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明提供一种具有整合被动元件的半导体元件，其包括一基材、一电阻器、一电感器、一连接垫、一第一保护层及一第一球下金属层(UBM)。该基材具有一第一表面及一第二表面。该电阻器邻接于该基材的第一表面，且包括一第一金属及二个电极，该等电极位于该第一金属上，且彼此分离。该电感器邻接于该基材的第一表面，且电性连接该电阻器，该电感器的下表面与该第一金属的下表面共平面。该连接垫邻接于该基材的第一表面，且电性连接该电感器。该第一保护层覆盖该电感器及该电阻器，该第一保护层具有至少一开口以显露该连接垫。该第一球下金属层(UBM)位于该第一保护层的开口内以电性连接该连接垫。

藉此，该电感器及该连接垫为同一层，而且在形成该电感器后即定义出该电阻器，如此可达到达到缩短工艺流程及节省成本的效果。此外，该电感器的下表面与该第一金属的下表面共平面，而可有效减少该半导体元件的厚度。

本发明另提供一种具有整合被动元件的半导体元件，其包括一基材、一电阻器、一电感器、一连接垫、一第一保护层及一第一球下金属层(UBM)。该基材具有一第一表面、一第二表面及至少一导通孔，该至少一导通孔显露于该基材的第一表面。该一电阻器邻接于该基材的第一表面，该电阻器包括一第一金属及二个电极，该等电极位于该第一金属上，且彼此分离。该电感器邻接于该基材的第一表面，且电性连接该电阻器。该连接垫邻接于该基材的第一表面，且电性连接该电感器及至少一导通孔。该第一保护层覆盖该电阻器及该电感器，且具有至少一开口以显露该连接垫。该第一球下金属层(UBM)位于该第一保护层的开口内以电性连接该连接垫。

本发明另提供一种具有整合被动元件的半导体元件的制造方法，其包括以下步骤：(a)提供一基材，该基材具有一第一表面及一第二表面；(b)形成一第一金属于该基材的第一表面；(c)形成一第二金属于该第一金属上；(d)移除部分该第一金属及该第二金属；(e)形成一第三金属邻于该基材的第一表面以形成一电感器及一连接垫，该电感器电性连接该连接垫；(f)移除部分该第二金属，以形成二个分离的电极，使得该第一金属及该等电极形成一电阻器，该等电极至少其中之一电性连接该电感器；(g)形成一第一保护层于该电感器及该电阻器上，该第一保护层具有至少一开口以显露该连接垫；及(h)形成一第四金属于该第一保护层的开口内以形成一第一球下金属层(UBM)，且电性连接该连接垫。

附图说明

图1显示本发明具有整合被动元件的半导体元件的一实施例的剖视示意图；

图2至图7显示本发明具有整合被动元件的半导体元件的制造方法的一实施例的示意图；

图8显示本发明具有整合被动元件的半导体元件的另一实施例的剖视示意图；

图9至图13显示本发明具有整合被动元件的半导体元件的制造方法的另一实施例的示意图；

图14显示本发明具有整合被动元件的半导体元件的另一实施例的剖视示意图；

图15显示本发明具有整合被动元件的半导体元件的制造方法的另一实施例的示意图；

图16显示本发明具有整合被动元件的半导体元件的另一实施例的剖视示意图；

图17显示本发明具有整合被动元件的半导体元件的制造方法的另一实施例的示意图；

图18显示图16的半导体元件的电阻器及电感器的剖视示意图；

图19显示本发明具有整合被动元件的半导体元件的另一实施例的剖视示意图；及

图20显示图19的半导体元件的电阻器及电感器的剖视示意图。

具体实施方式

参考图1，显示本发明具有整合被动元件的半导体元件的一实施例的剖视示意图。该半导体元件1包括一基材11、一电阻器121、一电感器161、一连接垫162、一第一保护层17及一第一球下金属层(UBM)201。

在图1中，该基材11具有一第一表面111及一第二表面112。在本实施例中，该基材11为一玻璃基材。