[发明专利]可调谐载流子诱导波导光栅无效

专利信息
申请号: 201110404472.X 申请日: 2011-12-07
公开(公告)号: CN102495449A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 方青;段靖远;张运方;孔庆善;刘育梁 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G02B6/124 分类号: G02B6/124
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 调谐 载流子 诱导 波导 光栅
【权利要求书】:

1.一种可调谐载流子诱导波导光栅,包括:

一光传输波导;

周期型分布的P掺杂区,形成在光传输波导芯层内的一侧;

周期型分布的N掺杂区,远离P掺杂区,形成在光传输波导芯层上的另一侧,该P掺杂区和N掺杂区的中间形成一间隙;

所述载流子诱导波导光栅是在偏压下以抽空载流子的方式,实现波导导波的功能;在偏压下注入载流子或不注入载流子均能实现导波光栅的滤波功能,诱导波导光栅是沿光传输方向周期排列。

2.如权利要求1所述的可调谐载流子诱导波导光栅,其中光传输波导芯层为脊形波导或条形波导,为脊形波导时包括其两侧的平板区和中间的脊形区。

3.如权利要求1所述的可调谐载流子诱导波导光栅,其中P掺杂区和N掺杂区的掺杂高度小于或等于光传输波导芯层的高度。

4.如权利要求1所述的可调谐载流子诱导波导光栅,其中P掺杂区和N掺杂区中间间隙的宽度大于或等于0。

5.如权利要求1所述的可调谐载流子诱导波导光栅,P型掺杂区包括高浓度的P掺杂区和低浓度的P-掺杂区,N型掺杂区域包括高浓度的N掺杂区和低浓度的N-掺杂区;P掺杂区或N掺杂区小于P-掺杂区或N-掺杂区;P掺杂区位于P-掺杂区之中或P掺杂区与P-掺杂区相连接;N-、N掺杂区同位于芯层脊型波导的另一侧,N掺杂区位于N-掺杂区之中或N掺杂区与N-掺杂区相连接。

6.如权利要求1所述的可调谐载流子诱导波导光栅,其中所述的间隙沿光传输方向的分布形状是线性分布、正余弦函数周期性分布、阶梯型周期性分布或锯齿状周期性分布。

7.如权利要求1所述的可调谐载流子诱导波导光栅,其中所述的波导光栅还包括一下包层和上包层,该上、下包层环绕于波导光栅,该上、下包层的材料相同或不同。

8.如权利要求7所述的可调谐载流子诱导波导光栅,其中所述的上包层为一层或多层。

9.如权利要求5所述的可调谐载流子诱导波导光栅,其中P型和N型掺杂的浓度相同或不相同,P-和N-掺杂的浓度相同或不同;P掺杂浓度高于P-掺杂浓度;N掺杂浓度高于N-掺杂浓度;P-、N-掺杂区域相连接,其界线一般位于波导芯层轴线方向。沿光传输方向的P-、N-掺杂区域界线分布形状是线性分布、正弦函数周期性分布、阶梯型周期性分布或锯齿状周期性分布。

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