[发明专利]三层抗静电聚酰亚胺薄膜的制备方法无效
申请号: | 201110403861.0 | 申请日: | 2011-12-07 |
公开(公告)号: | CN102516574A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 黄培;王晓东;俞娟;尤鹤翔 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L79/08;C08K3/04;C08K3/22;C08G73/10 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人: | 徐冬涛;袁正英 |
地址: | 210009 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三层 抗静电 聚酰亚胺 薄膜 制备 方法 | ||
1.三层抗静电聚酰亚胺薄膜的制备方法,其具体步骤如下:
A、聚酰胺酸PAA/导电填料复合溶液制备
将导电填料加入非质子极性溶剂中,加入硅烷偶联剂,控温超声搅拌,使导电填料均匀地分散在溶剂中,然后加入二胺,搅拌,待其完全溶解后,分批加入与二胺等摩尔量的二酐,连续搅拌至均匀相,制得质量固含量为12~25%的聚酰胺酸PAA/导电填料复合溶液,聚酰胺酸PAA为二胺和二酐的缩聚物;
B、聚酰胺酸PAA溶液制备
在反应器中加入二胺,使其溶于非质子极性溶剂中,控制温度搅拌,待其完全溶解后,分批加入与二胺等摩尔量的二酐,搅拌,制得质量固含量为12~25%的PAA溶液;
C、三层抗静电聚酰亚胺薄膜的制备
C1:将步骤A制得的聚酰胺酸PAA/导电填料复合溶液浸涂在流延板上放入真空烘箱升温至150~200℃,待薄膜冷却至20~30℃,将步骤B制得的聚酰胺酸PAA溶液浸涂于薄膜表面,放入真空烘箱升温至150~200℃,待薄膜冷却至20~30℃,再次将步骤A制得的聚酰胺酸PAA/导电填料复合溶液涂于薄膜表面,放入真空烘箱阶梯升温,脱水环化制得三层抗静电聚酰亚胺薄膜;
或者是:C2:将步骤A和B制得的溶液供给至三层共挤出口模,并在流延板上进行扩幅、流延,梯度升温使其热亚胺化成膜;其中三层共挤出口模中间层流路为步骤B制得的聚酰胺酸PAA溶液,其余流路为步骤A制得的聚酰胺酸/导电填料复合溶液。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于步骤A和B中,分2~8批加入与二胺等摩尔量的二酐;加入二酐后搅拌时间为4~12h。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于步骤A中所述的控温超声搅拌过程中,温度控制在15℃~30℃;超声波频率20KHz~100KHz;搅拌时间为15min~50min;步骤B中的温度控制在20~30℃。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于步骤A中导电填料与聚酰胺酸的质量比为0.05~0.5∶1,硅烷偶联剂与导电填料的质量比0.02~0.1∶1。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于步骤C1中所述的梯度升温过程中,升温速率为2~5℃/min;先升温到80℃~120℃恒温30min~90min;再升温到180℃~220℃恒温30min~90min;最后升温到280℃~380℃恒温30min~90min;步骤C2中所述梯度升温过程,升温速率为80℃~100℃/min;先升温到100℃~130℃恒温3min~15min;再升温到180℃~250℃恒温3min~15min;最后升温到320℃~380℃恒温3min~15min。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于三层膜中每层膜的厚度控制在3~20μm。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于步骤A和步骤B所述的二胺均为:4,4’-二氨基二苯醚、二甲基二苯甲烷二胺、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯、4,4’-双酚A二苯醚二胺、全氟异亚丙基双胺、4,4’-二(4-氨基苯氧基)二苯砜、4,4’-二(4-氨基苯氧基)二苯醚、二氨基二苯(甲)酮、4,4’-二氨基三苯胺、4,4’-二氨基二苯甲烷、二氨基二苯基砜、3,4’-二氨基二苯醚、4,4’-二氨基二苯基甲烷、3,3’-二甲基-4,4’-二氨基二苯基甲烷、4,,4’-二氨基-二苯氧基-1”,4”-苯、4,4’-二氨基-二苯氧基-1”,3”-苯、3,3’-二氨基-二苯氧基-1”,3”-苯或4,4’-二氨基-二苯氧基-4”,4-二苯基异丙烷中的一种或两种共混;步骤A和步骤B所述的二酐均为:均苯四甲酸二酐、3,3’,4,4’-联苯四甲酸二酐、4,4’-氧双邻苯二甲酸酐、异构二苯硫醚二酐、三苯二醚四酸二酐、苯酮四甲酸二酐、二苯酮四酸二酐、六氟异亚丙基二钛酸二酐或3,3’,4,4’-二苯基砜四羧酸酐中的一种或两种共混;步骤A和步骤B所述的非质子极性溶剂均为:N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜或四氢呋喃;所述的硅烷偶联剂是γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-(2,3环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、N-β(氨乙基)-γ-氨丙基二甲氧基硅烷或乙烯基三甲氧基硅烷中的一种;所述的导电填料是导电石墨、导电炭黑、掺锑二氧化锡或掺氟二氧化锡。
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