[发明专利]一种离子注入工艺的监测方法有效
| 申请号： | 201110403817.X | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103151281A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 阳厚国;张伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 工艺 监测 方法 | ||
1.一种离子注入工艺监测方法，该监测方法使用一监测晶圆作为监测样本，对一确定参数的离子注入工艺进行监测，其特征在于，包括步骤：
以所述监测晶圆为衬底，制作一外延层；
在所述外延层上进行离子注入工艺，离子注入的深度小于该外延层厚度；
测量所述经离子注入之后的外延层方块电阻；
根据上述外延层方块电阻，计算离子在该外延层中的注入状态；
根据外延层与衬底的一换算关系，得出该次离子注入工艺相对该监测晶圆的离子注入状态。
2.如权利要求1所述的离子注入工艺监测方法，其特征在于：所述外延层为单晶硅层，对该单晶硅层实施轻掺杂，以形成P型外延层或N型外延层。
3.如权利要求2所述的离子注入工艺监测方法，其特征在于：当所述外延层为P型外延层时，该离子注入工艺注入的离子为N型离子，当所述外延层为N型外延层时，该离子注入工艺注入的离子为P型离子。
4.如权利要求1所述的离子注入工艺监测方法，其特征在于：对所述外延层进行离子注入后，还包括对所述监测晶圆进行快速退火工艺的处理步骤。
5.如权利要求1所述的离子注入工艺监测方法，其特征在于：所述方块电阻通过四探针测量方法测得。
6.如权利要求1所述的离子注入工艺监测方法，其特征在于：所述离子在外延层中的注入状态为离子在横向和纵向上的注入深度以及离子的密度。
7.如权利要求1所述的离子注入工艺监测方法，其特征在于：所述换算关系为：在所述确定参数的离子注入工艺下，衬底注入状态与对应的外延层注入状态对照表。
8.如权利要求7所述的离子注入工艺监测方法，其特征在于：所述确定参数包括离子注入源种类、注入能量、注入角度和注入剂量。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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