[发明专利]纳米金属粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法

权利要求书

1.一种纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，适用于倒装芯片,其特征在于，包括如下步骤：

S1、将纳米金属颗粒浆料制备在金属热沉的热沉镀层表面；

S2、将经扩晶处理的LED芯片放置在金属热沉上，并使芯片背面的金属层与纳米金属颗粒浆料充分接触；

S3、无氧气氛下，对步骤S2得到的产物进行低温回流处理，获得LED芯片与热沉的低热阻金属界面连接。

2.根据权利要求1所述的纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述热沉镀层为Ag镀层、Au镀层。

3.根据权利要求1所述的纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，其特征在于，步骤S1中，纳米金属颗粒浆料中，金属颗粒的粒径为几个纳米～几百纳米。

4.根据权利要求1所述的纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述纳米金属颗粒浆料是通过点胶机将纳米金属颗粒制备在热沉镀层表面的。

5.根据权利要求1所述的纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述纳米金属颗粒浆料是通过印刷方式将纳米金属颗粒制备在热沉镀层表面的。

6.根据权利要求1至5任一所述的纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述纳米金属颗粒浆料为纳米银颗粒浆料、纳米SnAgCu合金浆料或者纳米Sn颗粒浆料。

7.根据权利要求1所述的纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，其特征在于，步骤S3中，低温回流处理时，回流温度为100～150℃，回流保温时间为5～60秒。

8.根据权利要求1所述的纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述回流包括在现有的共晶机台上的回流焊接或在回流路中的回流焊接。

9.根据权利要求1所述的纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，其特征在于，步骤S3中，LED芯片背面的金属层为银、Au-Sn或者Sn。