[发明专利]倒装芯片BGA组装工艺有效
申请号: | 201110402987.6 | 申请日: | 2011-12-06 |
公开(公告)号: | CN102983087A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 刘育志;卢景睿;林韦廷;邱绍玲;潘信瑜 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/50 |
代理公司: | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 陆鑫;房岭梅 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 倒装 芯片 bga 组装 工艺 | ||
技术领域
本发明的主题大体上涉及的是倒装芯片球栅阵列封装组装工艺。
背景技术
通常,倒装芯片球栅阵列(FCBGA)组装工艺涉及制备BGA基板和倒装芯片部件,并且通过倒装芯片部件的倒装芯片焊料凸块将其连接在一起而形成最终的FCBGA封装件。在传统FCBGA封装组装工艺中,封装组件经过多次高温热循环以及BGA焊球和倒装芯片部件的焊料凸块的回流。但是,由于每一次高温热循环均对器件增加了一定程度的应力,并且延长了整个过程的周期时间,因此有必要限制高温热循环的次数。在多数传统FCBGA组装工艺中,FCBGA封装组件经过至少两个高温热循环处理:一个是焊料回流循环,用于在BGA基板上形成BGA焊球;第二个回流循环用于回流倒装芯片部件的焊料凸块,以形成处于倒装芯片部件与BGA基板之间的倒装芯片焊点。
发明内容
为了解决现有技术中所存在的技术缺陷,根据本发明的一方面,提供了一种组装倒装芯片球栅阵列封装件的方法,其中,所述球栅阵列封装件包括芯片,所述芯片与所述球栅阵列基板接合,所述球栅阵列基板包括第一面和第二面,所述方法包括:在所述芯片的焊料凸块向上的方向,将所述芯片与所述球栅阵列基板的所述第一面连接接合,其中,所述芯片具有设置在其上的多个封装芯片焊料凸块,所述焊料凸块具有施加在其上的助焊剂,并且所述球栅阵列基板具有多个安装在所述第二面上的球形焊料;以及对所述芯片和所述球栅阵列基板实施热工艺,从而回流所述球形焊料并且形成焊球,回流所述倒装芯片焊料凸块并且在所述芯片和所述球栅阵列基板之间形成焊点。
该方法进一步包括从分割好的晶圆中拾取芯片的步骤,通过以下方式实现:在所述球栅阵列基板被固定在所述芯片上方时,朝向所述球栅阵列基板向上推动所述芯片,直到所述芯片从所述分割好的晶圆中分离出来并且使所述芯片上的所述倒装芯片焊料凸块与所述球栅阵列基板相接触,由此通过助焊剂将所述芯片与所述球栅阵列基板相接合。
该方法进一步包括在从所述分割好的晶圆中拾取所述芯片之前,在所述分割好的晶圆上的所述芯片上方对齐所述球栅阵列基板的步骤。
该方法进一步包括在将所述球栅阵列基板对齐在所述芯片上方之前,将助焊剂施加于在所述分割好的晶圆上设置的多个倒装芯片焊料凸块的步骤。
该方法进一步包括在将所述球栅阵列基板对齐在所述芯片上方之前,将多个球形焊料安装至所述球栅阵列基板的步骤。
在该方法中,所述热工艺具有热曲线,所述热曲线达到峰值温度,所述峰值温度高到足以回流所述球形焊料和所述倒装芯片焊料凸块。
在该方法中,所述球形焊料具有第一焊料成分,所述第一焊料成分具有第一熔融温度,并且所述倒装芯片焊料凸块具有第二焊料成分,所述第二焊料成分具有第二熔融温度,所述第二熔融温度不同于所述第一熔融温度,并且所述热工艺的所述峰值温度高到足以回流两种焊料成分。
根据本发明的另一方面,提供了一种组装倒装芯片球栅阵列封装件的方法,所述方法包括:将多个球形焊料安装至球栅阵列基板;向分割好的晶圆上设置的多个倒装芯片焊料凸块施加助焊剂;将所述球栅阵列基板对齐在所述分割好的晶圆上的芯片上方;朝向所述球栅阵列基板向上推动所述芯片,直到所述芯片与所述分割好的晶圆分开并且所述芯片上的所述倒装芯片焊料凸块与所述球栅阵列基板相接触,来从所述分割好的晶圆中将所述芯片拾取出来,由此所述芯片通过所述助焊剂以焊料凸块向上的方向与所述球栅阵列基板保持接合;以及对所述芯片和所述球栅阵列基板实施热工艺,由此回流所述球形焊料并且形成焊球,回流所述倒装芯片焊料凸块并且在所述芯片和所述球栅阵列基板之间形成焊点。
在该方法中,所述热工艺包括热曲线,所述热曲线达到峰值温度,所述峰值温度高到足以回流所述球形焊料和所述倒装芯片焊料凸块。
在该方法中,所述球形焊料具有第一焊料成分,所述第一焊料成分具有第一熔融温度,并且所述倒装芯片焊料凸块具有第二焊料成分,所述第二焊料成分具有第二熔融温度,所述第二熔融温度不同于所述第一熔融温度,并且所述热工艺的所述峰值温度高到足以回流两种焊料成分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造