[发明专利]一种基于WO3单晶颗粒的氮氧化物传感器元件的制备方法

权利要求书

1.一种基于WO₃单晶颗粒的氮氧化物传感器元件的制备方法，具有以下步骤：

(1)将六氯化钨溶于50毫升正丙醇或者环己醇中，所述正丙醇或者环己醇的加入量低于初始浓度的加入量，磁力搅拌1小时，形成蓝色透明的六氯化钨溶液；

(2)向步骤(1)中的六氯化钨溶液中继续添加正丙醇或者环己醇，调节六氯化钨的摩尔浓度为0.003-0.014M；

(3)将步骤(2)获得的六氯化钨溶液转移至100-500毫升的内衬为聚四氟乙烯的不锈钢水热反应釜中，密封，然后在180-200℃的温度下溶剂热反应6-10小时，反应釜自然冷却；

(4)将步骤(3)中的溶剂热产物离心分离，经去离子水和无水乙醇反复洗涤后，在60-80℃的空气气氛下充分干燥，制得准定向的束状一维钨氧化物纳米线；

(5)将步骤(4)中获得的束状一维钨氧化物纳米线束粉末与体积比为1∶2的无水乙醇与松油醇混合，超声混合2小时，制得纳米线基敏感材料浆料。

(6)将步骤(5)中所述的纳米线基敏感材料浆料涂覆在覆有叉指铂电极的传感器基片上，室温下放置30分钟，在程序烧结炉中于600-800℃空气气氛热处理1.5-3小时，控制升温速率小于2℃/min，制得WO₃单晶颗粒基传感器元件。

2.根据权利要求1所述的一种基于WO₃单晶颗粒的氮氧化物传感器元件的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)的准定向的束状一维钨氧化物纳米线束的直径为60-90纳米，长度为500-1000纳米，构成纳米束的单根纳米线直径为5-10纳米。

3.根据权利要求1所述的一种基于WO₃单晶颗粒的氮氧化物传感器元件的制备方法，其特征在于：所述步骤(6)的传感器基片上覆有的叉指铂电极，是采用射频磁控溅射法或蒸发法制备在洁净的传感器基片表面，厚度为100-150纳米。

4.根据权利要求1所述的一种基于WO₃单晶颗粒的氮氧化物传感器元件的制备方法，其特征在于，所述步骤(6)的纳米线基敏感材料浆料采用旋涂法、印刷法或者提拉法涂覆在覆有叉指铂电极的传感器基片上。

5.根据权利要求1所述的一种基于WO₃单晶颗粒的氮氧化物传感器元件的制备方法，其特征在于，所述步骤(6)的传感器基片采用氧化铝片或Si/SiO₂片。