[发明专利]场致发射光源内的阳极和包括该阳极的场致发射光源无效
| 申请号： | 201110402625.7 | 申请日： | 2005-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102522317A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 胡秋红 | 申请（专利权）人： | 光实验室瑞典股份公司 |
| 主分类号： | H01J63/02 | 分类号： | H01J63/02;H01J63/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈芳 |
| 地址： | 瑞典萨尔*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射 光源 阳极 包括 | ||
【权利要求书】：
1.一种场致发射光源(15)，包括阳极(1)和阴极(11)，其中，该阳极(1)包括：
-封闭型透明结构(13)；
-导电层(3)；
-发光层(5)，在受到导电层(3)和阴极(11)之间的电位差(9)引起的电子轰击(7)而激发时发光；
其特征在于：
-发光层(5)配置在导电层(3)和阴极(11)之间；
-导电层(3)是透明导电层(3)，
-导电层(3)被固定在封闭型透明结构(13)上；
-透明导电层(3)的厚度为450～550nm；并且
-电位差(9)为4～12kV。
2.根据权利要求1所述的场致发射光源(15)，其中使用注入和倾出工艺来将导电层(3)施加于封闭型透明结构(13)上。
3.根据权利要求1或2所述的场致发射光源(15)，其中在体电导率情况中透明导电层(3)的电导率(S)与透明导电层(3)的厚度成正比。
4.根据权利要求1或2所述的场致发射光源(15)，其中发光层(5)直接邻接于透明导电层(3)。
5.根据权利要求1或2所述的场致发射光源(15)，其中电位差(9)为5～11kV。
6.根据权利要求1或2所述的场致发射光源(15)，其中透明导电层(3)是铟锡氧化物ITO和氧化锌ZnO中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的场致发射光源(15)，其中封闭型透明结构(13)由玻璃制成。
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