[发明专利]一种复合金属线

说明书

技术领域

本发明涉及一种金属线，具体涉及一种复合金属线。

背景技术

在半导体封装技术中如集成电路、发光二极管及表面声波，都是利用打线接合作业，使芯片通过金属线与电路基板表面上的电路形成电连接，以作为芯片与电路基板之间的信号及电流传递。

依半导体封装形态不同，金属线的规格、线径与搭配的焊线机台制作参数也有所不同，而金属线的主要特性参数如断裂荷重、延展性、弯曲度及熔点等，与其使用的材料有直接关系，因为金属线的特性参数的好坏，将影响封装完成后半导体组件的使用寿命及稳定性。因此在选用金属线的材料时，大都采用延展性及稳定性较佳的材料来制作半导体封装时所需的金属线。

目前常用的金属线主要包含两种，一种是纯金的金属线，另一种为铝硅混合的铝硅金属线。纯金所制造的金属线虽然具有较佳的物理性质如延展性及导电性，但是，由于纯金制成的金属线成本较高，易造成整体半导体组件成本增加。如一种封装导线用的复合金属线及制造方法：首先备有包含有银及金成分的原料，然后，将该原料织入与真空熔炉进行熔炼，并在真空熔炉中加入两种或两种以上微量的金属元素，以制成复合金属铸块，接着，将复合金属铸块抽拉形成复合金属线材；最后，将该复合金属线材拉伸为预定线径的复合金属线。

该复合金属线虽然减少了使用金的含量，但是还是存在成本高的特点，不能得到广泛的使用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种导电性好、成本低的复合金属线。

本发明的技术方案为：一种复合金属线，所述的复合金属线包括基体以及基体表层的金属层，所述的基体由玻璃镀银导电橡胶构成，金属层由铜银合金复合而成，基体与金属层之间通过导电胶连接在一起。

在本发明一个较佳实施例中，所述的铜银合金中铜所占比例为80%-85%，银所占比例为15%-20%。

在本发明一个较佳实施例中，所述的金属层的厚度为1.5毫米-2.5毫米。

在本发明一个较佳实施例中，所述的导电胶的厚度为0.1毫米-0.5毫米。

本发明所述为一种复合金属线，采用玻璃镀银导电橡胶制成复合金属线的导电内质，不但具有很好的导电性能和实用性价比，而且成本较低，铜银合金制成的表层金属本身也具有很好的导电性、抗霉性，可以在提高金属导电性能的同时很好的保护金属线，导电胶在粘合的同时也提供了导电性能。

附图说明

图1为本发明复合金属线一较佳实施例中该复合金属线的结构示意图；

图中各附件标记如下：1、基体，2、金属层，3、导电胶。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

本发明所述为一种复合金属线，如图1所示：本发明所述为一种复合金属线，该复合金属线包括基体1以及基体1表层的金属层2，基体1由玻璃镀银导电橡胶构成，构成复合金属线的内在导电材料。金属层2由铜银合金复合而成，其中，铜银合金中铜所占比例为80%-85%，银所占比例为15%-20%，该金属层2的厚度为1.5毫米-2.5毫米。基体1与金属层2之间通过导电胶3连接在一起，导电胶3的厚度为0.1毫米-0.5毫米。

本发明所述为一种复合金属线，采用玻璃镀银导电橡胶制成复合金属线的导电内质，不但具有很好的导电性能和实用性价比，而且成本较低，铜银合金制成的表层金属本身也具有很好的导电性、抗霉性，可以在提高金属导电性能的同时很好的保护金属线，导电胶在粘合的同时也提供了导电性能。

以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本领域的技术人员在本发明所揭露的技术范围内，可不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。