[发明专利]GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器有效
| 申请号： | 201110401751.0 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103151710A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 王琦;贾志刚;郭欣;任晓敏;黄永清 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gaas 应变 量子 及其 制备 方法 半导体激光器 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaAs基含B高应变量子阱的制备方法，包括以下步骤：
S1、在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；
S2、在所述GaAs缓冲层顶部生长高应变阱层，生长过程中通入B源以形成含B高应变阱层；
S3、在所述含B高应变阱层上生长GaAs垒层或应变补偿垒层，以形成GaAs基含B高应变量子阱。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在S3步骤之后还包括：S4、重复步骤S2、S3若干次，形成多量子阱。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含B高应变阱层的材料为BInGaAs或BgaAsSb。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应变补偿层的材料为GaAsP、InGaP、BGaAs、GaAs-GaAsP、GaAs-InGaP、GaAs-BGaAs、GaAsP-GaAs、InGaP-GaAs、BGaAs-GaAs中的一种或几种的组合。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含B高应变阱层中包含In或Sb，且In或Sb的组分大于或等于30％。
6.一种采用权利要求1～5中任一项所述的方法所制备的GaAs基含B高应变量子阱。
7.一种边发射半导体激光器，其特征在于，所述激光器以权利要求6所述的GaAs基含B高应变量子阱作为有源区。
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