[发明专利]DLC沉膜的膜厚均匀性控制方法及调整底盘

权利要求书

1.一种DLC沉膜的膜厚均匀性控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，将待沉膜的工件置于金属材质的调整底盘上，所述调整底盘与工件相适配，且调整底盘暴漏的周侧面与所述工件的待沉膜表面之间形成连续的过渡；

步骤2，将所述工件及调整底盘放置于真空电场环境中；

步骤3，在所述工件的待沉膜表面及调整底盘暴漏的周侧面沉积DLC膜层；

步骤4，将沉积有DLC膜的工件从所述调整底盘上取下即完成了对所述工件的DLC沉膜。

2.根据权利要求1所述的DLC沉膜的膜厚均匀性控制方法，其特征在于，所述步骤1具体为：所述调整底盘由金属圆环和设在该金属圆环内的底架构成；将所述待沉膜工件置于该底架和金属圆环上，并使所述金属圆环暴漏的周侧面与所述工件的待沉膜表面之间形成连续的过渡。

3.根据权利要求2所述的DLC沉膜的膜厚均匀性控制方法，其特征在于，所述待沉膜的工件呈球冠状，所述金属圆环暴漏的周侧面为一球台的周侧面，且该工件的底面半径与该金属圆环的上底面半径相等。

4.一种调整底盘，其特征在于，该调整底盘由金属制成，所述调整底盘用于与底端放置在其上的待沉膜的工件相适配，并且该调整底盘暴漏的周侧面与所述工件的待沉膜表面之间形成连续的过渡。

5.根据权利要求4所述的调整底盘，其特征在于，所述调整底盘呈球台状、圆台状、锥台状、圆柱状或棱柱状。

6.根据权利要求4所述的调整底盘，其特征在于，所述调整底盘上设有用于对正该调整底盘与所述工件的定位轴或定位孔。

7.根据权利要求4或5或6所述的调整底盘，其特征在于，所述调整底盘由一金属圆环和设于该金属圆环内的底架构成；所述金属圆环的内周侧面与所述底架外壁相适配，所述金属圆环暴漏的外周侧面能与放置在其上的所述工件的待沉膜表面之间形成连续的过渡。