[发明专利]低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法

权利要求书

1.一种低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，超声清洗普通基底，然后吹干表面以备使用；

步骤2，使用射频溅射的方法在步骤1得到的基底表面溅射一定厚度的锌膜；

步骤3，在密封性、耐热性和抗压性较好的容器中放入氨水溶液；

步骤4，将步骤2中得到的基底固定在氨水溶液的上方，其中，有锌膜一面朝上，其另一面不接触液面，置于烘箱中加热；

步骤5，加热一段时间后取出基底，其表面既得氧化锌纳米阵列。

2.根据权利要求1所述的低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤1为将普通基底依次放入丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗，并以氮气吹干表面。

3.根据权利要求2所述的低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，所述丙酮及乙醇为分析纯。

4.根据权利要求1所述的低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤2中锌膜厚度为1-5μm。

5.根据权利要求1所述的低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤3中氨水溶液为分析纯或将分析纯氨水溶液加水稀释。

6.根据权利要求5所述的低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，所述分析纯为25-28％，所述氨水溶液与水体积比为1∶0-1∶10。

7.根据权利要求1所述的低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤4中烘箱加热温度为50-90℃。

8.根据权利要求1所述的低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤5中加热时间为6-12小时。

9.根据权利要求1所述的低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，所述普通基底为普通玻璃片、硅片或ITO玻璃。

10.根据权利要求1所述的低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤3中氨水溶液为100mL。