[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

说明书

本申请对早先于2010年12月8日在韩国知识产权局提交并因此被该局适时地赋予序列号10-2010-0124861的申请做出参考，将其包含于此，并要求其所有权益。

技术领域

本发明的一个或多个方面涉及有机发光显示装置及其制造方法。

背景技术

有机发光装置可以被容易地制成薄的，并具有诸如视角宽、响应速度快和功耗低的优点。因此，有机发光装置作为下一代显示装置而备受关注。

发明内容

本发明的一个或多个方面提供了有机发光显示装置及其制造方法，所述有机发光显示装置及其制造方法简化了制造工艺和/或提高了装置特性和/或开口率。

根据本发明的一方面，提供了一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括：下电容器电极和有源层，形成在基底上，下电容器电极和有源层包括掺杂有离子杂质的半导体材料；第一绝缘层，覆盖有源层和下电容器电极；第一栅电极，形成在第一绝缘层上并处于有源层上方；第二栅电极，形成在第一栅电极上，第二栅电极包括蚀刻选择率与第一栅电极不同的导电材料；上电容器电极，包括与第一栅电极相同的材料并与第一栅电极形成在同一层，上电容器电极形成在第一绝缘层上并处于下电容器电极上方；第二绝缘层，覆盖第一栅电极和第二栅电极以及上电容器电极；TFT的源电极和漏电极，形成在第二绝缘层上并电连接到有源层；像素电极，从源电极和漏电极中的任一个延伸以覆盖形成有上电容器电极的整个区域；发光层，位于像素电极上；以及对电极，面对像素电极，其中，发光层设置在对电极与像素电极之间。

第二绝缘层的下部可直接连接到第一栅电极和第二栅电极以及上电容器电极，第二绝缘层的上部可直接连接到源电极和漏电极以及像素电极。

第一栅电极和上电容器电极可包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和In₂O₃组成的组中选择的任一种。

第一栅电极和上电容器电极的厚度可均为或小于

第二栅电极可包括低电阻导电材料，像素电极还可覆盖形成有第二栅电极的区域。

第一栅电极的厚度可为或小于

低电阻导电材料可包括Cu。

像素电极可与源电极和漏电极形成在同一层。

像素电极可包括与源电极和漏电极相同的材料。

像素电极可包括顺序地堆叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层。

第一导电层可包括钛(Ti)。

第二导电层可包括银(Ag)或铝(Al)。

第三导电层可包括从由ITO、IZO、ZnO和In₂O₃组成的组中选择的任一种。

根据本发明的另一方面，提供了一种制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：第一掩模操作，包括：在基底上形成半导体层，并通过将半导体层图案化来形成下电容器电极和TFT的有源层；第二掩模操作，包括：在基底上形成第一绝缘层以覆盖有源层和下电容器电极，在第一绝缘层上顺序地堆叠第一导电材料和蚀刻选择率与第一导电材料不同的第二导电材料，通过图案化来形成包括第一导电材料和第二导电材料的栅电极，并通过图案化来形成包括第一导电材料的上电容器电极；第三掩模操作，包括：在第二掩模操作的所得结构上形成第二绝缘层，并通过将第二绝缘层图案化来形成暴露有源层的一部分的接触孔；以及第四掩模操作，包括：在第三掩模操作的所得结构上形成第三导电材料，通过将第三导电材料图案化来形成源电极和漏电极，并通过使源电极和漏电极中的一个延伸以覆盖形成有上电容器电极的整个区域来形成像素电极。

该方法还可包括第五掩模操作，第五掩模操作包括：在第四掩模操作的所得结构上形成第三绝缘层，并通过将第三绝缘层图案化来暴露像素电极。

在执行第五掩模操作之后，可在暴露的像素电极上形成发光层和对电极。

第二掩模操作可使用半色调掩模。

可在第二掩模操作的所得结构上用离子杂质掺杂有源层和下电容器电极。

在第二掩模操作中，第二导电材料可包括低电阻导电材料，在第四掩模操作中，可将像素电极形成为还覆盖形成有第二栅电极的区域。

在第四掩模操作中，可将像素电极形成为直接连接到第二绝缘层。

在第四掩模操作中，第三导电材料可包括第一层、第二层和第三层，第一层包括Ti，第二层包括Ag或Al，第三层包括从由ITO、IZO、ZnO和In₂O₃组成的组中选择的任一种。

附图说明