[发明专利]基座和包括其的化学气相沉积设备

说明书

技术领域

本公开涉及基座和包括其的化学气相沉积设备(CVD)。

背景技术

通常，化学气相沉积(CVD)设备利用化学反应在将沉积材料的构件上形成薄膜，所述构件通常包括诸如半导体晶片的基板。例如，在CVD设备中，通过将具有高的蒸汽压的反应气体传输到在真空室中加热的基板，由反应气体形成的膜在基板上生长。

目前，由于半导体装置的小型化及高效和高输出发光二极管(LED)的发展，近来存在对诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)的CVD的兴趣。此外，随室和基座的尺寸的增大，在将沉积材料的多个构件上均匀生长薄膜的技术是重要的，因为这种技术允许一次性在多个构件上进行沉积。这里，构件设置在附属盘上，附属盘均包含在准备在基座上的多个容器中。为了在将沉积材料的构件上均匀地生长薄膜，基座和附属盘均可旋转。

发明内容

提供的是具有改善的结构的基座和包括其的化学气相沉积(CVD)设备。

另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，部分地，将通过描述而显而易见，或可通过给出的实施例的实施而被知晓。

根据本发明的一方面，一种盘型化学气相沉积(CVD)设备包括：多个基座片，当结合在一起时形成盘；至少一个容器，设置在所述多个基座片中的每个的上表面上，并包括其上将沉积材料的构件，其中，连接部形成在相邻基座片的侧表面之间并允许所述多个基座片以能分开/能分离的方式彼此结合。

所述多个基座片均可为扇形。

连接部可包括形成在所述多个基座片中的每个的一侧上的凹进部和形成在所述多个基座片中的每个的另一侧的凸出部，凹进部和凸出部彼此接合。

连接部可包括形成在所述多个基座片中的每个的一侧上并沿直径方向延长的凹槽部和形成在所述多个基座片中的每个的另一侧上的突出部。

所述多个基座片中的每个可包括向至少一个容器提供流动气体的基座流动路径。

根据本发明另一方面，一种化学气相沉积(CVD)设备包括：基座，包括当结合在一起时形成盘的多个基座片及设置在所述多个基座片中的每个的上表面上并包括其上将沉积材料的构件至少一个容器；支撑件，用于在将流动气体注入到基座以旋转所述构件时支撑基座；反应气体注入器，用于注入反应气体，所述反应气体包括将被沉积到所述构件上的沉积材料；室，包括基座、支撑件和反应气体注入器，其中，基座用于盘型CVD设备并包括：多个基座片，当结合在一起时形成盘；至少一个容器，设置在所述多个基座片中的每个的上表面上，并包括其上将沉积材料的构件，其中，连接部形成在相邻基座片的侧表面之间并允许所述多个基座片以能分开/能分离的方式彼此结合。

附图说明

通过下面结合附图对实施例进行的描述，这些和/或其他方面将会变得清楚并更容易理解，其中：

图1是示意性示出根据本发明实施例的化学气相沉积(CVD)设备的剖视图；

图2是示意性示出图1的CVD设备的基座的截面透视图；

图3是图2的基座的平面图；

图4是示出图2的基座的一片的透视图。

具体实施方式

以下，将参照附图更充分地描述本发明的实施例。在附图中，相同的标号表示相同的元件，为清楚起见，夸大了元件的尺寸和厚度。

图1是示意性示出根据本发明实施例的化学气相沉积(CVD)设备100的剖视图，图2是示意性示出CVD设备100的基座110的截面透视图，图3是基座100的平面图，图4是示出基座110的一片110-1的透视图。

参照图1，根据本发明当前实施例的CVD设备100包括：基座110；支撑件130、140和150，用于在注入流动气体G1时支撑基座110；加热器175，用于加热基座110；反应气体注入器180，用于提供反应气体G2；室190，用于容纳基座110和反应气体注入器180的喷嘴185；气体排放器195，用于排放在室190中的流动气体G1和反应气体G2。

参照图2和图3，基座110为具有孔110a的盘形。基座110包括当结合在一起时形成一个盘的多个基座片110-1、110-2、110-3、110-4、110-5、110-6、110-7和110-8。在当前实施例中，基座110包括八个基座片110-1、110-2、110-3、110-4、110-5、110-6、110-7和110-8。然而，本发明不限于此，基座片的数量可根据基座110和容器111的尺寸而改变。