[发明专利]具有内侧墙的浅槽填充方法

权利要求书

1.一种具有内侧墙的浅槽填充方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，先在硅片上刻蚀出沟槽，再在整个硅片淀积一层非掺杂的二氧化硅作为衬垫氧化层；

第2步，在整个硅片淀积一层高n型掺杂的二氧化硅；

第3步，对第2步淀积的高n型掺杂的二氧化硅进行干法反刻，刻蚀终止点为第1步淀积的衬垫氧化层；

这一步结束后，沟槽中就形成了内侧墙；

第4步，采用湿法腐蚀工艺去除内侧墙，该步湿法腐蚀工艺也会把沟槽侧壁和底部以及氮化硅掩蔽层侧面和顶面的衬垫氧化层去除；

第5步，在整个硅片暴露出硅的区域热氧化生长一层二氧化硅作为新的衬垫氧化层；

第6步，在沟槽中填充二氧化硅；

第7步，先去除氮化硅掩膜层，露出下方的硅，再在硅片的表面暴露出硅的区域形成金属硅化物。

2.根据权利要求1所述的具有内侧墙的浅槽填充方法，其特征是，所述方法第1步中，非掺杂的二氧化硅的厚度为采用亚常压化学气相淀积工艺，淀积温度为300～500摄氏度。

3.根据权利要求1所述的具有内侧墙的浅槽填充方法，其特征是，所述方法第2步中，高n型掺杂的二氧化硅的厚度为掺杂浓度为4％～8％重量百分比。

4.根据权利要求1所述的具有内侧墙的浅槽填充方法，其特征是，所述方法第3步中，刻蚀终止点为第1步淀积的衬垫氧化层，是通过干法刻蚀高n型掺杂的二氧化硅速度快，干法刻蚀非掺杂的二氧化硅速度慢来实现的。

5.根据权利要求1所述的具有内侧墙的浅槽填充方法，其特征是，所述方法第5步中，新的衬垫氧化层的厚度为热氧化生长工艺的温度为800～1150摄氏度。

6.根据权利要求1所述的具有内侧墙的浅槽填充方法，其特征是，所述方法第6步中，在沟槽中填充二氧化硅，采用高密度等离子体化学气相淀积工艺。