[发明专利]一种阵列基板及液晶显示装置、阵列基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201110398044.0 申请日: 2011-12-05
公开(公告)号: CN102402090A 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 陈虹瑞 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02;H01L21/77
代理公司: 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 代理人: 邢涛;田夏
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 液晶 显示装置 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示领域,更具体的说,涉及一种阵列基板及液晶显示装置、阵列基板的制造方法。

背景技术

现有的阵列基板一般采用蚀刻工艺制作,依次在透明基板上分层依次蚀刻出扫描线和数据线,如图1、2所示,在液晶显示装置的阵列基板中包括多个薄膜晶体管(TFT),一个薄膜晶体管包括一个基板、一个闸极和一个源极,闸极连接扫描线,源极连接数据线。在现有的阵列基板中,湿式蚀刻制程后数据线的线线宽会变小甚至断线,造成垂直断线或垂直线缺陷,影响良品率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种不易出现数据线断线的阵列基板及液晶显示装置、阵列基板的制造方法。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:

一种阵列基板,包括扫描线和数据线,所述数据线在数据线和扫描线的交接处的宽度大于数据线其余部分的宽度。

优选的,所述数据线在交接处两侧的加宽宽度相等。在曝光、蚀刻过程中数据线两侧受到的强度是对等的,因此保持加宽宽度相等,在曝光、蚀刻过程后数据线的宽度均匀,不会出现局部收窄甚至断线。

优选的,所述数据线在交接处单侧的加宽宽度在0.3um~0.7um之间。交接处的数据线宽度不宜过大,宽度越大,数据线和扫描线的交叠面积就越大,在阵列基板产生静电的时候交接处就越容易被击穿,两侧各加宽0.5um,在经过曝光、湿式蚀刻等制程后,交接处的数据线宽度可以跟其他部分的宽度大致保持一致,可以保证可靠连接的前提下,减少交接处的交叠面积。

优选的,所述数据线在交接处单侧的加宽宽度为0.5um。此为优选的加宽数值。

一种液晶显示装置,包括上述的阵列基板。

一种阵列基板的制造方法,其步骤包括:在阵列基板的数据线成型工艺中,设置数据线宽度参数,使数据线与扫描线交接处的数据线宽度值大于数据线其余部分的宽度值。

优选的,所述数据线在交接处两侧的加宽的宽度值相等。在曝光、蚀刻过程中数据线两侧受到的强度是对等的,因此保持加宽宽度相等,在曝光、蚀刻过程后数据线的宽度均匀,不会出现局部收窄甚至断线。

优选的,所述数据线在交接处单侧的加宽的宽度值在0.3um~0.7um之间。交接处的数据线宽度不宜过大,宽度越大,数据线和扫描线的交叠面积就越大,在阵列基板产生静电的时候交接处就越容易被击穿,两侧各加宽0.5um,在经过曝光、湿式蚀刻等制程后,交接处的数据线宽度可以跟其他部分的宽度大致保持一致,可以保证可靠连接的前提下,减少交接处的交叠面积。

优选的,所述数据线在交接处单侧的加宽的宽度值为0.5um。此为优选的加宽数值。

本发明中,发明人研究发现现有的阵列基板在蚀刻出数据线时,数据线变窄甚至于断线的部位集中在数据线和扫描线的交接处,该交接处由于数据线需爬坡跨越扫描线,容易于在曝光制程时爬坡处曝光量过大,造成爬坡处数据线线宽(CD)缩小,而于湿式蚀刻制程后线宽变得更小甚至断线,为此,本发明在交接处加宽了数据线,交接处的数据线在经过曝光、湿式蚀刻等制程的加工,在宽度减少的情况下,最终仍然可以保持合适的宽度,不至于因为宽度太窄造成断线。本发明可以在不增加额外工序的前提下解决数据线线宽变窄甚至断线的问题,提升了液晶显示装置的良品率,工艺简单,成本低廉。

附图说明

图1现有技术的液晶显示装置阵列基板示意图;

图2是交接处数据线在曝光制程中的示意图;

图3是本发明液晶显示装置阵列基板示意图;

其中:1、扫描线;2、数据线;3、交接处;4、薄膜晶体管。

具体实施方式

下面结合附图和较佳的实施例对本发明作进一步说明。

如图3所示,一种液晶显示装置,包括阵列基板,所述阵列基板包括多个薄膜晶体管4,连接薄膜晶体管4闸极的扫描线1、连接薄膜晶体管4源极的数据线2,所述数据线2在数据线2和扫描线1的交接处3的宽度大于数据线2其余部分的宽度。进一步的,所述数据线2在交接处3两侧的加宽宽度相等。在曝光、蚀刻过程中数据线2两侧受到的强度是对等的,因此保持加宽宽度相等,在曝光、蚀刻过程后数据线2的宽度均匀,不会出现局部收窄甚至断线。

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