[发明专利]层间层内电容的分离方法

说明书

技术领域

[0001] 本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种层间层内电容的分离方法。

背景技术

随着集成电路技术的发展，集成电路内的晶体管数目迅速增加，互连线长度也急剧增加，因而互连线之间的寄生信息对于电路的时序逐渐起着主导性作用，对于寄生电容的分析变得尤为重要。

通常而言，寄生电容都是通过寄生信息提取工具，如star-rcxt提取寄生电容、电阻，但是这些寄生信息提取工具都是基于foundry的工艺信息，一般而言，foundry提供的包含工艺参数的文档如ITF（interconnect technology file）文件，所述ITF文件描述了该foundry的工艺制作情况，如metal的厚度、宽度，介质的厚度、宽度等信息。

ITF文件中的各种参数都是通过测试结构提取到的，所以ITF文件中参数的准确性完全取决于测试结构的设计以及从测试结构中提取电学参数的方法，通常，工艺参数的提取都是通过电容、电阻的计算和仿真来获取有效值，其中，准确的电容对于提取工艺信息更是至关重要的，通过层间电容可以提取介质的厚度，通过层间电容可以提取金属的厚度，所以，为了得到精确有效的金属厚度，就需要有效的分离出层间电容。

现有的层间电容的测量方法是：直接在两层之间施加高频信号测量，并不考虑其他处于悬空状态电极的影响。

发明内容

本发明提供的金属层间层内电容的分离方法，以电学的方式有效的分离出combmeander结构(是一种由comb线和meander线组成的电容、电阻的测量结构，comb线即梳齿状线，meander线即蜿蜒状线)的层内电容。

本发明提供的层间层内电容测量和分离的方法，包括步骤：测量上层平行金属板和中间层金属combmeander测试结构之间的层间电容C1；测量下层平行金属板和中间层金属combmeander测试结构之间的层间电容C2；测量上层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的comb结构之间的层间电容、下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的comb结构之间的层间电容、中间层金属combmeander测试结构的comb与meander之间的层内电容之总电容C3；测量下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的meander结构之间的层间电容、下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的meander结构之间的层间电容、中间层金属combmeander测试结构的comb与meander之间的层内电容之总电容C4；求和C3与C4，减去C1、C2，并除以2便得combmeander测试结构的层内电容；所述层间电容C1包括上层平行金属板分别与中间层combmeander的comb、meander结构的电容之和；所述层间电容C2包括下层平行金属板分别与中间层combmeander的comb、meander结构的电容之和；所述电容C3是上层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的comb结构之间的层间电容、下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的comb结构之间的层间电容、中间层金属combmeander测试结构的comb与meander之间的层内电容之和，C3是通过施加一定测量信号测量得到；所述电容C4是下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的meander结构之间的层间电容、下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的meander结构之间的层间电容、中间层金属combmeander测试结构的comb与meander之间的层内电容之和，C4是通过施加一定的测量信号测量得到；所述的金属层间层内电容的分离方法同样适用于任意一层metal层内电容的分离。

采用本发明实施例的方法，可以测量和分离出任意一层combmeander结构的层内电容，并且采用本发明实施例提供的方法，可以精确的提取到层内电容。

附图说明

图1、图2、图3、图4为本发明实施例中的电容示意图；

图5为本发明实施例提出的金属层间层内电容分离方法流程图；