[发明专利]一种用于桥式驱动电路中的高压隔离环结构

权利要求书

1.一种用于桥式驱动电路中的高压隔离环结构，包括P型衬底和在所述的P型衬底上生长一层N型外延材料构成的N型外延层，其特征在于所述的N型外延层上加工制作有P型隔离、深硼、P阱、第一RESURF和LDMOS管，所述的深硼中形成有第一P+有源区，所述的P型隔离与所述的第一P+有源区和所述的深硼之间均存在交叠区域，所述的P阱与所述的第一RESURF之间存在交叠区域，所述的P阱中形成有第二P+有源区，所述的第二P+有源区与所述的第一RESURF之间存在交叠区域，所述的LDMOS管的栅极为加工制作于所述的N型外延层的上表面上的栅多晶，所述的栅多晶覆盖到所述的P阱的外边界以内的部分区域和以外的部分区域，所述的LDMOS管的源极形成在下述结构上：所述的P阱的外边界与所述的第一RESURF的外边界之间的区域中形成有第一N+有源区，所述的第一N+有源区的外边界与所述的栅多晶的内边界相重合，所述的第一N+有源区的内边界与所述的第二P+有源区的外边界之间存在间隙，所述的第一N+有源区通过接触孔引出金属触点作为所述的LDMOS管的源极，所述的LDMOS管的衬底形成在下述结构上：所述的P阱通过所述的第二P+有源区连接到接触孔引出的金属触点作为LDMOS管的衬底，所述的LDMOS管的漏极形成在下述结构上：所述的N型外延层中加工制作有第二N+有源区，所述的第二N+有源区的外边界与所述的第一RESURF的内边界之间存在间隙，所述的第二N+有源区通过接触孔引出金属触点作为所述的LDMOS管的漏极，所述的第二N+有源区的内边界所围成的区域为隔离环内逻辑版图区域，用于绘制高压侧逻辑控制电路版图。

2.根据权利要求1所述的一种用于桥式驱动电路中的高压隔离环结构，其特征在于所述的P阱被所述的栅多晶覆盖的区域的上表面在所述的栅多晶加电压时形成所述的LDMOS管的沟道。

3.根据权利要求1或2所述的一种用于桥式驱动电路中的高压隔离环结构，其特征在于所述的P型隔离、所述的深硼和所述的第一P+有源区之间电连接，并通过接触孔引出金属触点连接到高压隔离环外的低压侧逻辑控制电路的地信号上。

4.根据权利要求3所述的一种用于桥式驱动电路中的高压隔离环结构，其特征在于所述的LDMOS管的栅极连接到高压隔离环外的低压侧逻辑控制电路上，由高压隔离环外的低压侧逻辑控制电路控制所述的LDMOS管的栅极的电位，决定所述的LDMOS管的开关状态；所述的LDMOS管的源极连接到高压隔离环外的低压侧逻辑控制电路的电源信号上；所述的LDMOS管的衬底连接到高压隔离环外的低压侧逻辑控制电路上，由高压隔离环外的低压侧逻辑控制电路控制所述的LDMOS管的衬底的电位；所述的LDMOS管的漏极连接到高压隔离环环绕的高压侧逻辑控制电路的电源信号上。

5.根据权利要求4所述的一种用于桥式驱动电路中的高压隔离环结构，其特征在于所述的P型隔离、所述的深硼、所述的第一P+有源区、所述的栅多晶、所述的P阱、所述的第一N+有源区、所述的第二P+有源区、所述的第一RESURF和所述的第二N+有源区在版图中从外到里依次的边界关系为：所述的P型隔离的外边界、所述的深硼的外边界、所述的第一P+有源区的外边界、所述的P型隔离的内边界、所述的第一P+有源区的内边界、所述的深硼的内边界、所述的栅多晶的外边界、所述的P阱的外边界、所述的栅多晶的内边界与所述的第一N+有源区的外边界相重合的边界、所述的第一N+有源区的内边界、所述的第二P+有源区的外边界、所述的第一RESURF 的外边界、所述的第二P+有源区的内边界、所述的P阱的内边界、所述的第一RESURF 的内边界、所述的第二N+有源区的外边界、所述的第二N+有源区的内边界。

6.根据权利要求5所述的一种用于桥式驱动电路中的高压隔离环结构，其特征在于所述的第一N+有源区在版图中呈封闭或不封闭的环行结构。

7.根据权利要求6所述的一种用于桥式驱动电路中的高压隔离环结构，其特征在于所述的N型外延层上还加工制作有第二RESURF，所述的第二RESURF与所述的P型隔离、所述的深硼及所述的第一P+有源区之间均存在交叠区域，所述的第二RESURF的内边界以内的部分区域被所述的栅多晶覆盖，所述的第二RESURF的内边界与所述的P阱的外边界之间存在间隙。

8.根据权利要求7所述的一种用于桥式驱动电路中的高压隔离环结构，其特征在于所述的P型隔离、所述的深硼、所述的第一P+有源区、所述的第二RESURF、所述的栅多晶、所述的P阱、所述的第一N+有源区、所述的第二P+有源区、所述的第一RESURF和所述的第二N+有源区在版图中从外到里依次的边界关系为：所述的P型隔离的外边界、所述的深硼的外边界、所述的第一P+有源区的外边界、所述的第二RESURF的外边界、所述的P型隔离的内边界、所述的第一P+有源区的内边界、所述的深硼的内边界、所述的栅多晶的外边界、所述的第二RESURF的内边界、所述的P阱的外边界、所述的栅多晶的内边界与所述的第一N+有源区的外边界相重合的边界、所述的第一N+有源区的内边界、所述的第二P+有源区的外边界、所述的第一RESURF 的外边界、所述的第二P+有源区的内边界、所述的P阱的内边界、所述的第一RESURF 的内边界、所述的第二N+有源区的外边界、所述的第二N+有源区的内边界。