[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其包括：

一第一半导体层，所述第一半导体层具有相对的一第一表面和一第二表面；

一活性层及一第二半导体层依次层叠设置于所述第一半导体层的第二表面，所述活性层设置于所述第一半导体层及第二半导体层之间，所述第二半导体层远离活性层的表面具有一出光面；

一第一电极覆盖所述第一半导体层的第一表面；

一第二电极与所述第二半导体层电连接；

其特征在于，所述第一半导体层的第二表面为多个三维纳米结构以阵列形式排布形成的图案化的表面，其中每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度，所述活性层与所述第一半导体层接触的表面与所述第一半导体层所述图案化的表面相啮合。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述三维纳米结构为条形凸起结构，所述三维纳米结构在第一半导体层表面以直线、折线或曲线并排延伸。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述三维纳米结构在其延伸方向的横截面的形状为M形。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一凸棱及第二凸棱的横截面分别为锥形，所述第一凸棱与第二凸棱形成一双峰凸棱结构。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层覆盖所述多个三维纳米结构，所述活性层与第一半导体层接触的表面形成一纳米图形。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层表面形成多个凹槽及多个凸棱，所述凹槽分别与所述三维纳米结构中的第一凸棱及第二凸棱相配合，所述凸棱分别与第一凹槽及第二凹槽相配合。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一凹槽的深度为30纳米~120纳米，所述第二凹槽的深度为100纳米~200纳米。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述多个三维纳米结构在第第一半导体层表面按照等间距排布、同心圆环排布或同心回形排布。

9.如权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述多个三维纳米结构在第一半导体层表面按同一周期或多个周期排布，所述周期范围为100纳米~500纳米。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，相邻三维纳米结构之间的间距为0纳米~200纳米。

11.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述三维纳米结构的宽度为100纳米~300纳米。

12.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述三维纳米结构与第一半导体层为一体成型结构。

13.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，进一步包括一反射层设置于所述第一半导体层远离活性层的表面。

14.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层远离第一半导体层的表面为多个三维纳米结构以阵列形式排布形成的图案化的表面，所述活性层远离第一半导体层表面的三维纳米结构与第一半导体层第二表面的三维纳米结构对应设置。

15.如权利要求14所述的发光二极管，其特征在于，所述第二半导体层与活性层接触的表面与所述活性层远离第一半导体层的图案化的表面相啮合。

16.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层远离第一半导体层的表面为平面结构。

17.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层的类型与第二半导体层不同。

18.一种发光二极管，其包括：一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层依次层叠设置，所述第二半导体层靠近所述发光二极管的出光面设置，一第一电极覆盖所述第一半导体层远离活性层的表面，一第二电极与所述第二半导体层电连接，其特征在于，所述第一半导体层与活性层接触的表面为多个三维纳米结构并排延伸形成的图案化的表面，每个三维纳米结构沿延伸方向的横截面为M形，所述活性层与所述第一半导体层接触的表面与所述第一半导体层所述图案化的表面相啮合。

19.一种发光二极管，其包括：一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层依次层叠设置，所述第二半导体层靠近所述发光二极管的出光面设置，一第一电极覆盖所述第一半导体层远离活性层的表面，一第二电极与所述第二半导体层电连接，其特征在于，所述第一半导体层与活性层接触的表面为多个三维纳米结构形成的图案化的表面，所述活性层与所述第一半导体层接触的表面与所述第一半导体层所述图案化的表面相啮合。