[发明专利]互联线RC工艺角建模方法

权利要求书

1. 一种生成精确的互连线R、C工艺角解析模型的方法，其特征在于改变传统互连线工艺角模型方法PRCA方法中设置的偏移量（skew值），通过解析方程和统计模拟生成新的skew表达式，获得与实际结果相近的更为精确的互连线工艺角模型：

步骤包括：

（1）由半导体制造公司提供的工艺角文件（如ITF文件）确定互连线工艺参数G的统计信息, 即G的均值或是typical工艺角的值                                               和标准差；

（2）设置一全局的偏移量，令互连线工艺参数G满足；

（3）确定互连线电学参数（电阻R、电容C、及RC乘积）关于互连线工艺参数G的解析表达式R=F(G), C=Y(G)，RC=X（G），并采用一阶Taylor展开式获得R、C和RC的线性逼近方程；

例如    （4）将R、C和RC关于其工艺参数展开后获得展开系数，即可通过如下的解析表达式计算偏移量

（5）计算一组不同线宽W_i的值；

（6）利用Monte Carlo模拟方法分别计算该组线宽W_i所对应的一组R_i、C_i和（RC）_i的统计信息（均值和标准差），确定实际的R_i、C_i和（RC）_i的最大与最小值，即+3，-3；

（7）利用Monte Carlo方法计算出的实际的R_i、C_i和（RC）_i的最大与最小值采用数值计算反推出对应于实际的最大最小值时工艺参数的偏移量；

（8）采用线性回归技术（linear regression）以步骤（7）的计算结果为基准，对步骤（4）和（5）计算的值进行微调，给出微调系数；

（9）建立新的skew表达式 ，从而建立精确的互连线工艺角模型。

2.根据权利要求1所述的生成精确的互连线R、C工艺角解析模型的方法，其特征是所述步骤（1）中，互连线工艺参数G代表的是某一互连线层如M2层互连线的线宽W，线间距S，线高度T、M2层与上层金属层M3层的介质厚度H1及M2层与下层金属层M1层的介质厚度H2；各工艺参数G均被假定为正太分布变量，因此具有均值和标准差（如W具有均值和标准差），其中W，T，H1&H2为独立变量，S与W被假定为负相关。

3.根据权利要求1所述的生成精确的互连线R、C工艺角解析模型的方法，其特征是所述步骤（2）中，并不一定等于-3和+3，而是[-3:3]区间中的某一个值。

4.根据权利要求1所述的生成精确的互连线R、C工艺角解析模型的方法，其特征是所述步骤（4）中R，C及RC分别具有不同的skew表达式。

5.根据权利要求1所述的生成精确的互连线R、C工艺角解析模型的方法，其特征是所述步骤（4）中的skew表达式是关于线宽W的函数，即不同的线宽有不同的skew值。

6.根据权利要求1所述的生成精确的互连线R、C工艺角解析模型的方法，其特征是所述步骤（9）中的skew表达式对应于不同的金属层，不同的线宽，和不同的电学参数；并且在不同的工艺角如worst corner和best corner 有不同的skew值。