[发明专利]晶体管装置和集成电路

说明书

技术领域

实施例总体上涉及晶体管装置和集成电路。

背景技术

现场可编程门阵列（FPGA）可以用于实现逻辑电路。FPGA可以包括逻辑元件的阵列以及具有多个或多种（例如上千或上万）可编程互连的布线（wiring）互连，从而可以（例如由用户）将FPGA配置成具有所定义的逻辑功能的集成电路。每个可编程互连或开关可以例如将集成电路中的两个电路节点相连接，以形成（或打破）布线互连或者设置逻辑元件的一个或多个功能。

FPGA可以通过基于非易失性存储器（NVM）的FPGA单元实现。每个FPGA单元可以包括晶体管装置，该晶体管装置包括开关晶体管（开关器件）和感测晶体管（感测器件）。感测晶体管可以用于对单元进行编程或擦除，而开关晶体管可以用于读取该单元的编程状态。

附图说明

在附图中，贯穿不同视图，相似的参考标记一般指代相同部分。附图不必按比例绘制，一般地，重点在于示意实施例的原理。在以下描述中，参照以下附图来描述各个实施例，在附图中：

图1示出了根据一个实施例的晶体管装置的示意图；

图2示出了根据另一实施例的集成电路的示意图；

图3A示出了根据另一实施例的晶体管装置的示意自上而下视图（top-down view）；

图3B和3C示出了图3A的晶体管装置的示意横截面视图；

图4A示出了根据另一实施例的晶体管装置的示意自上而下视图；

图4B和4C示出了图4A的晶体管装置的示意横截面视图；

图5A示出了根据另一实施例的晶体管装置的示意自上而下视图；

图5B和5C示出了图5A的晶体管装置的示意横截面视图。

具体实施方式

以下详细描述参照了附图，附图以示意的方式示出了可实施本发明的具体细节和实施例。这些实施例被足够详细地描述以使本领域技术人员能够实施本发明。在不脱离本发明的范围的前提下，可以利用其他实施例并且可以进行结构、逻辑和电气方面的改变。各个实施例不一定相互排斥，因为一些实施例可以与一个或多个其他实施例进行组合以形成新实施例。

这里使用的术语“层”或“层结构”可以被理解为指代单个层或者包括多个子层的层序列（也被称作层堆叠）。在层序列或层堆栈中，各个子层可以例如包括不同材料或可以由不同材料制成，或者，至少一个子层可以包括与另一子层相同的材料或可以由与另一子层相同的材料制成。

这里使用的术语“布置在……上”、“安置在……上”或“形成在……上”可以被理解为指代可以以直接机械和/或电气接触的方式位于另一层（元件或实体）上的层（或者某其他元件或实体）。层（元件或实体）还可以以与另一层（元件或实体）间接（机械和/或电气）接触的方式定位，在这种情况下，一个或多个附加层（元件或实体）可以存在于其间。

这里使用的术语“布置在……上方”、“安置在……上方”或“形成在……上方”可以被理解为指代可以至少间接地位于另一层（元件或实体）上的层（或者某其他元件或实体）。即，一个或多个其他层（元件或实体）可以位于给定层（元件或实体）之间。

术语“电气连接”、“电气接触”或“电气耦合”可以被理解为包括直接电气连接、接触或耦合以及间接电气连接、接触或耦合。

图1示出了根据一个实施例的晶体管装置100的示意图。

晶体管装置100可以包括开关晶体管120和感测晶体管140。开关晶体管120可以包括电荷存储结构124和控制结构125。感测晶体管140可以包括电荷存储结构144、控制结构145和选择结构146。开关晶体管120的电荷存储结构124可以电气连接至感测晶体管140的电荷存储结构144，如图1中的连接线168所示。例如，根据一个实施例，开关晶体管120的电荷存储结构124和感测晶体管140的电荷存储结构144可以是公共电荷存储结构的一部分，例如根据一个实施例（未示出，参见例如图3A）的公共浮动栅的一部分。可替换地，连接线168可以表示将电荷存储结构124、144彼此电气连接的适当布线。

感测晶体管140可以被配置为使得可以彼此独立地对感测晶体管140的选择结构146和控制结构145进行电气控制。换言之，可以与控制结构145的电位独立地设置或改变选择结构146的电位，反之亦然。因此，可以使选择结构146例如达到可与控制结构145的电位不同的电位，反之亦然。

根据一个实施例，开关晶体管120可以被配置为1晶体管器件（也被称作1T器件）（未示出，参见例如图3B）。例如，开关晶体管120可以没有选择结构。